電子器件雜志 北大期刊 統(tǒng)計源期刊
主管單位：中華人民共和國教育部 主辦單位：東南大學(xué)
雙月刊 審稿周期：1-3個月 全年訂價：￥310.00
《電子器件》由孫立濤擔任主編，創(chuàng)刊于1978年，由中華人民共和國教育部主管、東南大學(xué)主辦的一本電子領(lǐng)域?qū)I(yè)期刊。主要刊載該領(lǐng)域內(nèi)的原創(chuàng)性研究論文、綜述和評論等，力求及時、準確、全面的反映該領(lǐng)域的政策、技術(shù)、應(yīng)用市場及動態(tài)。
- 32-1416/TN 國內(nèi)刊號
- 1005-9490 國際刊號
- 3025 發(fā)文量
- 0.65 影響因子
- 11456 總被引量
- 28-367 郵發(fā)代號
- 1978 創(chuàng)刊時間
電子器件期刊信息
- 出版語言：中文/英語
- 創(chuàng)刊時間：1978年
- 國際刊號：1005-9490
- 主編：孫立濤
- 紙張開本：A4
- 國內(nèi)刊號：32-1416/TN
- 出版地區(qū)：江蘇
- 發(fā)行周期：雙月刊
- 郵發(fā)代號：28-367
電子器件期刊榮譽
- Caj-cd規(guī)范獲獎期刊
- 中國優(yōu)秀期刊遴選數(shù)據(jù)庫
- 中國期刊全文數(shù)據(jù)庫（CJFD）
- 中國學(xué)術(shù)期刊（光盤版）全文收錄期刊
- RCCSE學(xué)術(shù)期刊
- 中國科技期刊優(yōu)秀期刊
- 北大圖書館收錄期刊
電子器件投稿須知
1.題名：力求簡明、醒目，能準確反映文章主題。中文題名一般以25個漢字以內(nèi)。
2.來稿請附相關(guān)的內(nèi)容摘要和關(guān)鍵詞。內(nèi)容摘要在稿件正文之前，以100—300字為宜，簡介主題范圍、目的方法、內(nèi)容梗概、創(chuàng)新之處、主要結(jié)論。
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5.行文中的注釋一律使用腳注，每頁連續(xù)編號，腳注符號用①②……，其位置在標點符號前（引號除外）文字的右上角。注釋應(yīng)是對正文的附加解釋或者補充說明，僅是參考或引用的文獻等內(nèi)容一般不作為注釋出現(xiàn)。腳注請用宋體小5號。
電子器件編輯部聯(lián)系方式
地址：南京市四牌樓2號
郵編：210096
主編：孫立濤
電子器件發(fā)文選摘
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1、基于GLOBALFOUNDRIES 0.18μm BCDliteTM工藝的微型CMOS五電極垂直型霍爾器件的研究
作者：湯偉; 呂飛; 張勝; 潘紅兵; 王敦輝
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2、5VpMOS器件的熱載流子注入退化機理
作者：楊翰琪; 劉小紅; 呂康; 魏家行; 孫偉鋒
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3、一種新型肖特基整流管設(shè)計
作者：閆麗紅; 王永順; 韓根亮
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4、一種新型的常通型GaN HEMT器件
作者：徐宏慶; 修強; 董耀文; 秦海鴻
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5、一種新型超級聯(lián)碳化硅結(jié)型場效應(yīng)管
作者：修強; 董耀文; 彭子和; 秦海鴻; 游霞
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6、一種基于人工電磁超材料的寬帶MIMO天線去耦方法
作者：萬發(fā)雨; 李鶴鳴; 于兵; 葛俊祥
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7、一種應(yīng)用于WLAN的抗金屬四頻段平面單極天線設(shè)計
作者：賈宇向
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8、基于改進粒子群優(yōu)化算法nMOSFET壽命預(yù)測
作者：曹建生; 李凱群
-
9、高性能柔性電極制備及其電化學(xué)性能研究
作者：李艷紅
-
10、基于片上工藝的MOEMS光強差分測量加速度計研究
作者：薛國芳; 張培彥
電子器件期刊評價分析
年發(fā)文量和被引次數(shù)
影響因子和立即指數(shù)
電子器件期刊評價報告
| 年份 | 2013 | 2014 | 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 |
| 被引次數(shù) | 760 | 878 | 994 | 1099 | 1101 | 1062 | 1124 | 1231 | 1234 | 1246 |
| 影響因子 | 0.47 | 0.5 | 0.54 | 0.59 | 0.58 | 0.62 | 0.65 | 0.76 | 0.8 | 0.88 |
| 立即指數(shù) | 0.07 | 0.03 | 0.07 | 0.04 | 0.06 | 0.06 | 0.1 | 0.1 | 0.18 | 0.09 |
| 發(fā)文量 | 205 | 271 | 286 | 297 | 301 | 309 | 302 | 262 | 263 | 253 |
| 被引半衰期 | 5.45 | 6.08 | 5.81 | 5.07 | 4.6 | 3.89 | 3.76 | 3.62 | 3.62 | 3.51 |
| 引用半衰期 | 4.48 | 5.31 | 5.15 | 4.98 | 5.08 | 5.46 | 5.18 | 4.12 | 4.18 | 4.52 |
| 期刊他引率 | 0.75 | 0.68 | 0.66 | 0.65 | 0.72 | 0.86 | 0.86 | 0.85 | 0.89 | 0.91 |
| 平均引文率 | 10.8 | 10.9 | 11.5 | 11.7 | 11.8 | 13.1 | 13.5 | 14.4 | 15 | 15.9 |
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