Solid-state Electronics SCIE
國際簡稱：SOLID STATE ELECTRON 參考譯名：固態(tài)電子
主要研究方向：物理-工程：電子與電氣 非預警期刊 審稿周期： 一般,3-6周 約9.2周
《固態(tài)電子》(Solid-state Electronics)是一本由Elsevier Ltd出版的以物理-工程：電子與電氣為研究特色的國際期刊，發(fā)表該領(lǐng)域相關(guān)的原創(chuàng)研究文章、評論文章和綜述文章，及時報道該領(lǐng)域相關(guān)理論、實踐和應用學科的最新發(fā)現(xiàn)，旨在促進該學科領(lǐng)域科學信息的快速交流。該期刊是一本未開放期刊，近三年沒有被列入預警名單。
Solid-state Electronics期刊信息
- ISSN：0038-1101
- 出版語言：English
- 是否OA：未開放
- E-ISSN：1879-2405
- 出版地區(qū)：UNITED STATES
- 是否預警：否
- 出版商：Elsevier Ltd
- 出版周期：Monthly
- 創(chuàng)刊時間：1960
- 開源占比：0.0803
- Gold OA文章占比：18.40%
- OA被引用占比：0.0126...
- 出版國人文章占比：0.16
- 出版撤稿占比：0
- 研究類文章占比：99.43%
Solid-state Electronics CiteScore評價數(shù)據(jù)（2024年最新版）
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 指數(shù) | ||||||||||||||||||||
| 3 | 0.348 | 0.655 |
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名詞解釋：CiteScore 是衡量期刊所發(fā)表文獻的平均受引用次數(shù)，是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個指標。當年CiteScore 的計算依據(jù)是期刊最近4年（含計算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻數(shù)。例如，2022年的 CiteScore 計算方法為：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對2019-2022年發(fā)表的文件的引用數(shù)量÷2019-2022年發(fā)布的文獻數(shù)量 注：文獻類型包括：文章、評論、會議論文、書籍章節(jié)和數(shù)據(jù)論文。
Solid-state Electronics中科院評價數(shù)據(jù)
中科院 2023年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 物理與天體物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2022年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 物理與天體物理 | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2021年12月舊的升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 物理與天體物理 | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2021年12月基礎(chǔ)版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 物理 | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2021年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 物理與天體物理 | 3區(qū) | PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 | 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
中科院 2020年12月舊的升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 | ||
| 否 | 否 | 物理與天體物理 | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 | 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) |
Solid-state Electronics JCR評價數(shù)據(jù)（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 259 / 352 |
26.6% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q4 | 138 / 179 |
23.2% |
| 學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q4 | 61 / 79 |
23.4% |
| 按JCI指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 261 / 354 |
26.41% |
| 學科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q3 | 133 / 179 |
25.98% |
| 學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | SCIE | Q3 | 54 / 79 |
32.28% |
Solid-state Electronics歷年數(shù)據(jù)統(tǒng)計
影響因子
中科院分區(qū)
Solid-state Electronics中國學者發(fā)文選摘
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1、Monolithic TCAD simulation of phase-change memory (PCM/PRAM) plus Ovonic Threshold Switch (OTS) selector device
Author: Thesberg, M.; Stanojevic, Z.; Baumgartner, O.; Kernstock, C.; Leonelli, D.; Barci, M.; Wang, X.; Zhou, X.; Jiao, H.; Donadio, G. L.; Garbin, D.; Witters, T.; Kundu, S.; Hody, H.; Delhougne, R.; Kar, G.; Karner, M.
Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108504
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2、New insights into the effect of spatially distributed polarization in ferroelectric FET on content addressable memory operation for machine learning applications
Author: Su, Chang; Xu, Weikai; Zhang, Lining; Huang, Ru; Huang, Qianqian
Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108495
-
3、Analysis of uniaxial stress impact on drift velocity of 4H-SiC by full-band Monte Carlo simulation
Author: Nishimura, T.; Eikyu, K.; Sonoda, K.; Ogata, T.
Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108503
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4、Investigation on holding voltage of asymmetric DDSCR with floating heavy doping in 0.18?m CMOS process
Author: Guan, Wenjie; Wang, Yang; Deng, Zhiqin; Yu, Bo; Chen, Xijun; Jin, Xiangliang; Yang, Hongjiao
Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108486
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5、On the feasibility of DoS-engineering for achieving sub-60 mV subthreshold slope in MOSFETs
Author: Gonzalez-Medina, Jose Maria; Stanojevic, Zlatan; Hou, Zhaozhao; Zhang, Qiang; Li, Wei; Xu, Jeffrei; Karner, Markus
Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108494
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6、Lumped-parameter equivalent circuit modeling of solar cells with S-shaped I-V characteristics
Author: Fei Yu, Gongyi Huang, Wei Lin, Chuanzhong Xu, Wanling Deng, Xiaoyu Ma, Junkai Huang
Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.029
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7、Improved performance of fully-recessed normally-off LPCVD SiN/GaN MISFET using N2O plasma pretreatment
Author: Mengjun Li, Jinyan Wang, Hongyue Wang, Qirui Cao, Jingqian Liu, Chengyu Huang
Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.067
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8、SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heterostructures: in situ fabrication and enhanced gas sensing performance
Author: Kunquan Chen, Shijian Chen, Mingyu Pi, Dingke Zhang
Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.024
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