Solid-state Electronics SCIE

國際簡稱：SOLID STATE ELECTRON 參考譯名：固態(tài)電子

主要研究方向：物理-工程：電子與電氣非預警期刊審稿周期：一般,3-6周約9.2周

《固態(tài)電子》(Solid-state Electronics)是一本由Elsevier Ltd出版的以物理-工程：電子與電氣為研究特色的國際期刊，發(fā)表該領(lǐng)域相關(guān)的原創(chuàng)研究文章、評論文章和綜述文章，及時報道該領(lǐng)域相關(guān)理論、實踐和應用學科的最新發(fā)現(xiàn)，旨在促進該學科領(lǐng)域科學信息的快速交流。該期刊是一本未開放期刊，近三年沒有被列入預警名單。

4區(qū) 中科院分區(qū)
Q3 JCR分區(qū)
175 年發(fā)文量
1.4 IF影響因子
未開放 是否OA
87 H-index
1960 創(chuàng)刊年份
Monthly 出版周期
English 出版語言

It is the aim of this journal to bring together in one publication outstanding papers reporting new and original work in the following areas: (1) applications of solid-state physics and technology to electronics and optoelectronics, including theory and device design; (2) optical, electrical, morphological characterization techniques and parameter extraction of devices; (3) fabrication of semiconductor devices, and also device-related materials growth, measurement and evaluation; (4) the physics and modeling of submicron and nanoscale microelectronic and optoelectronic devices, including processing, measurement, and performance evaluation; (5) applications of numerical methods to the modeling and simulation of solid-state devices and processes; and (6) nanoscale electronic and optoelectronic devices, photovoltaics, sensors, and MEMS based on semiconductor and alternative electronic materials; (7) synthesis and electrooptical properties of materials for novel devices.

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Solid-state Electronics期刊信息

ISSN：0038-1101
出版語言：English
是否OA：未開放
E-ISSN：1879-2405
出版地區(qū)：UNITED STATES
是否預警：否
出版商：Elsevier Ltd
出版周期：Monthly
創(chuàng)刊時間：1960
開源占比：0.0803
Gold OA文章占比：18.40%
OA被引用占比：0.0126...
出版國人文章占比：0.16
出版撤稿占比：0
研究類文章占比：99.43%

Solid-state Electronics CiteScore評價數(shù)據(jù)（2024年最新版）

CiteScore

SJR

SNIP

CiteScore 指數(shù)

0.348

0.655

學科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q3	419 / 797	47%
大類：Engineering 小類：Condensed Matter Physics	Q3	245 / 434	43%
大類：Engineering 小類：Materials Chemistry	Q3	182 / 317	42%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q3	169 / 284	40%

名詞解釋：CiteScore 是衡量期刊所發(fā)表文獻的平均受引用次數(shù)，是在 Scopus 中衡量期刊影響力的另一個指標。當年CiteScore 的計算依據(jù)是期刊最近4年（含計算年度）的被引次數(shù)除以該期刊近四年發(fā)表的文獻數(shù)。例如，2022年的 CiteScore 計算方法為：2022年的 CiteScore =2019-2022年收到的對2019-2022年發(fā)表的文件的引用數(shù)量÷2019-2022年發(fā)布的文獻數(shù)量注：文獻類型包括：文章、評論、會議論文、書籍章節(jié)和數(shù)據(jù)論文。

Solid-state Electronics中科院評價數(shù)據(jù)

中科院 2023年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	物理與天體物理	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院 2022年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	物理與天體物理	3區(qū)	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院 2021年12月舊的升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	物理與天體物理	3區(qū)	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院 2021年12月基礎(chǔ)版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	物理	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院 2021年12月升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	物理與天體物理	3區(qū)	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用	3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院 2020年12月舊的升級版

Top期刊	綜述期刊	大類學科		小類學科
否	否	物理與天體物理	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

Solid-state Electronics JCR評價數(shù)據(jù)（2023-2024年最新版）

按JIF指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	259 / 352	26.6%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	138 / 179	23.2%
學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q4	61 / 79	23.4%

按JCI指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	261 / 354	26.41%
學科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	133 / 179	25.98%
學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q3	54 / 79	32.28%

Solid-state Electronics歷年數(shù)據(jù)統(tǒng)計

影響因子

中科院分區(qū)

Solid-state Electronics中國學者發(fā)文選摘

1、Monolithic TCAD simulation of phase-change memory (PCM/PRAM) plus Ovonic Threshold Switch (OTS) selector device
Author: Thesberg, M.; Stanojevic, Z.; Baumgartner, O.; Kernstock, C.; Leonelli, D.; Barci, M.; Wang, X.; Zhou, X.; Jiao, H.; Donadio, G. L.; Garbin, D.; Witters, T.; Kundu, S.; Hody, H.; Delhougne, R.; Kar, G.; Karner, M.

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108504
2、New insights into the effect of spatially distributed polarization in ferroelectric FET on content addressable memory operation for machine learning applications
Author: Su, Chang; Xu, Weikai; Zhang, Lining; Huang, Ru; Huang, Qianqian

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108495
3、Analysis of uniaxial stress impact on drift velocity of 4H-SiC by full-band Monte Carlo simulation
Author: Nishimura, T.; Eikyu, K.; Sonoda, K.; Ogata, T.

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108503
4、Investigation on holding voltage of asymmetric DDSCR with floating heavy doping in 0.18?m CMOS process
Author: Guan, Wenjie; Wang, Yang; Deng, Zhiqin; Yu, Bo; Chen, Xijun; Jin, Xiangliang; Yang, Hongjiao

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108486
5、On the feasibility of DoS-engineering for achieving sub-60 mV subthreshold slope in MOSFETs
Author: Gonzalez-Medina, Jose Maria; Stanojevic, Zlatan; Hou, Zhaozhao; Zhang, Qiang; Li, Wei; Xu, Jeffrei; Karner, Markus

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS. 2023; Vol. 199, Issue , pp. -. DOI: 10.1016/j.sse.2022.108494
6、Lumped-parameter equivalent circuit modeling of solar cells with S-shaped I-V characteristics
Author: Fei Yu, Gongyi Huang, Wei Lin, Chuanzhong Xu, Wanling Deng, Xiaoyu Ma, Junkai Huang

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.029
7、Improved performance of fully-recessed normally-off LPCVD SiN/GaN MISFET using N2O plasma pretreatment
Author: Mengjun Li, Jinyan Wang, Hongyue Wang, Qirui Cao, Jingqian Liu, Chengyu Huang

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.067
8、SnO2 nanoparticles/TiO2 nanofibers heterostructures: in situ fabrication and enhanced gas sensing performance
Author: Kunquan Chen, Shijian Chen, Mingyu Pi, Dingke Zhang

Journal: SOLID-STATE ELECTRONICS, 2019, Vol., , DOI:10.1016/j.sse.2019.03.024