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隨著艦船電力電子設(shè)備的日益復(fù)雜和頻段的不斷攀高，輻射電磁干擾的建模、互聯(lián)導(dǎo)線的輻射電磁場(chǎng)研究、非周期暫態(tài)工作模式的電磁兼容研究、傳導(dǎo)與輻射干擾對(duì)消技術(shù)等內(nèi)容越來越成為艦船EMC/EMI研究的熱點(diǎn)。

1電磁干擾作用機(jī)理與建模

電磁干擾的本質(zhì)是由電磁場(chǎng)和電磁波的傳導(dǎo)或輻射引起的副作用，但對(duì)于電力系統(tǒng)而言，電磁干擾是與其結(jié)構(gòu)、工藝、布線等諸多因素相關(guān)的復(fù)雜電磁現(xiàn)象，目前主要借助于建立在測(cè)試基礎(chǔ)上的干擾模型對(duì)機(jī)理進(jìn)行分析和深入研究，進(jìn)而研究影響電磁干擾的主要因素，從而為電磁兼容性的理論分析和電磁干擾抑制技術(shù)研究奠定基礎(chǔ)。許多文獻(xiàn)都論述了電力系統(tǒng)中多種電力電子裝置電磁干擾的產(chǎn)生與傳播機(jī)理：Zhang等［3］較早研究了開關(guān)電源地電流引起非本質(zhì)差模（DM）干擾的產(chǎn)生及其傳導(dǎo)機(jī)理，并進(jìn)一步給出了該非本質(zhì)差模干擾濾波器的設(shè)計(jì)和抑制方法［4］；Klotz等［5］研究了IGBT的電磁干擾機(jī)理問題，深入分析了靜態(tài)工作點(diǎn)、結(jié)構(gòu)、模塊封裝方式、門極電路、溫度和接地等因素對(duì)電磁干擾的影響；Chen［6］所提出的PWM變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的電磁干擾和軸承電流模型對(duì)指導(dǎo)變頻裝置后續(xù)的研究工作有一定的指導(dǎo)意義。這些研究大多是針對(duì)具體裝置并結(jié)合實(shí)驗(yàn)而進(jìn)行的定性分析，有助于對(duì)干擾源的定位和干擾形成機(jī)理的認(rèn)識(shí)。

1.1傳導(dǎo)電磁干擾建模與預(yù)測(cè)當(dāng)前，電力系統(tǒng)傳導(dǎo)電磁干擾建模與預(yù)測(cè)工作大量體現(xiàn)在開關(guān)電源、PWM變頻驅(qū)動(dòng)裝置和半導(dǎo)體功率器件的建模研究中。

1.1.1開關(guān)電源傳導(dǎo)干擾研究Nave［7］于1986年建立了開關(guān)電源差模和共模（CM）干擾的電路模型，并對(duì)其干擾進(jìn)行了計(jì)算，所提出的模型主要針對(duì)干擾作用機(jī)理分析。法國(guó)LED電磁兼容實(shí)驗(yàn)室的Roudet和德國(guó)ABB公司的Scheich分別對(duì)SCR全橋整流電路在低頻諧波段的差模干擾和功率開關(guān)電路的共模干擾進(jìn)行了預(yù)測(cè)研究［8］。Revol等［9］采用電路瞬態(tài)分析方法計(jì)算了非連續(xù)導(dǎo)通模式下二極管整流橋在LISN上產(chǎn)生的干擾。20世紀(jì)90年代后期，信息技術(shù)的發(fā)展對(duì)電能管理和可靠性提出了更高的要求，分布式電力系統(tǒng)在艦船領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用使得功率因素校正電路的電磁干擾預(yù)測(cè)成為熱點(diǎn)。Crebier等［10］將PWM調(diào)制信號(hào)作為干擾源，對(duì)一種功率因素校正電路的拓?fù)溥M(jìn)行等效并計(jì)算了干擾包絡(luò)。諸如此類的研究文獻(xiàn)一般是將開關(guān)器件的開關(guān)特性視為理想化的通斷過程，為避免理論計(jì)算的復(fù)雜性，往往忽略了電路的高頻寄生參數(shù)，所建立的模型僅適用于低頻干擾分析。為提高電磁干擾預(yù)測(cè)的精度，學(xué)者們開始借助專業(yè)的測(cè)量?jī)x器和專業(yè)的電磁場(chǎng)分析軟件對(duì)電路的寄生參數(shù)進(jìn)行抽取，以求建立更為精確的電路模型。Teulings等［11-13］率先采用部分單元等效電路（PEEC）方法建立一個(gè)400W的直流斬波器的高頻模型，利用InCa軟件計(jì)算出每一單元的寄生電感和電阻，然后利用Wheeker/Schneider方程計(jì)算每個(gè)節(jié)點(diǎn)單元的寄生電容，最后得到整個(gè)電路的電路模型，代入Pspice中進(jìn)行頻域仿真得到干擾，其研究具有較大的開拓意義，但遺憾的是沒有建立干擾源（功率器件）模型，而是采用近似的梯形波。Zhang［14］采用與Teulings相同的參數(shù)獲取方法對(duì)反激式開關(guān)電源的電磁干擾進(jìn)行了建模預(yù)測(cè)，開關(guān)器件直接利用Saber的庫(kù)元件進(jìn)行時(shí)域仿真。Zhang［15］在對(duì)功率因素校正電路進(jìn)行EMI計(jì)算時(shí)，采用InCa軟件和基于有限元（FEA）方法的AnsoftMaxwellQ3D軟件對(duì)PCB板寄生電感和寄生電容參數(shù)進(jìn)行抽取，得到等效電路后再用Saber軟件進(jìn)行時(shí)域仿真，經(jīng)過FFT求解得到了干擾的包絡(luò)線，仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果吻合很好。對(duì)于開關(guān)電源傳導(dǎo)干擾研究，學(xué)者們的主要思路是借助專業(yè)的測(cè)量?jī)x器和電磁場(chǎng)分析軟件對(duì)電路的寄生參數(shù)進(jìn)行抽取，得到相對(duì)精確的分立模型，組合后再進(jìn)行復(fù)雜電路的時(shí)域瞬態(tài)計(jì)算和電磁干擾分析，究其原因是由于純粹的解析模型對(duì)干擾動(dòng)態(tài)特性的描述相當(dāng)困難，目前僅能進(jìn)行傳導(dǎo)干擾的機(jī)理分析。

1.1.2PWM變頻驅(qū)動(dòng)裝置電磁干擾研究隨著高壓、大容量的交流PWM變頻驅(qū)動(dòng)逐步取代傳統(tǒng)的直流驅(qū)動(dòng)方式，PWM變頻驅(qū)動(dòng)裝置的電磁干擾特性研究逐步深入。Ran等［16］在Saber軟件中建立了適于PWM變頻驅(qū)動(dòng)的時(shí)域仿真系統(tǒng)模型，并據(jù)此得到了3種主導(dǎo)模式下簡(jiǎn)化的電路模型，通過時(shí)域和頻域方法驗(yàn)證了傳導(dǎo)干擾分析的正確性。Chen［6］自20世紀(jì)90年代后期開始研究電動(dòng)牽引機(jī)車驅(qū)動(dòng)裝置的傳導(dǎo)電磁干擾問題，提出了用電壓源替換開關(guān)器件的建模方法，用二端口網(wǎng)絡(luò)的S傳遞函數(shù)描述傳播特性的方法都頗具創(chuàng)新性。與此同時(shí)，為適應(yīng)復(fù)雜系統(tǒng)電磁干擾預(yù)測(cè)的需要，高頻寄生參數(shù)測(cè)試方法也有新的進(jìn)展。由于用傳統(tǒng)的參數(shù)抽取方法，如FEA和PEEC在處理由大功率集成模塊、大尺寸連接電纜和DC母線等組成的逆變器電路時(shí)相當(dāng)困難，Zhu等［17］提出了基于時(shí)域反射原理（TDR）的建模方法，該方法對(duì)電路描述的復(fù)雜程度較FEA和PEEC大大降低，便于建立導(dǎo)線和公共母線排的分布參數(shù)模型，抽取功率集成模塊內(nèi)部器件連接導(dǎo)線的寄生電感等，且該方法分別在ZVT軟開關(guān)逆變器和永磁電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)裝置電磁干擾預(yù)測(cè)研究中取得了較好的實(shí)際應(yīng)用效果。上述研究有助于對(duì)PWM變頻裝置傳導(dǎo)干擾源和干擾耦合通道的定位，并確定主要研究參數(shù)，但其缺點(diǎn)是主要是通過費(fèi)時(shí)的時(shí)域仿真來實(shí)現(xiàn)對(duì)PWM開關(guān)的處理，同時(shí)也沒有涉及PWM調(diào)制模式的影響。因此，為了提高系統(tǒng)級(jí)的電磁干擾預(yù)測(cè)的精度和速度，有必要研究一種不依賴時(shí)域仿真的PWM逆變器電磁干擾計(jì)算方法［18-19］。

1.1.3半導(dǎo)體功率器件的建模許多電路仿真軟件，如Pspice和Saber，其元件庫(kù)中的半導(dǎo)體功率器件（二極管、MOSFET和IGBT等）模型沒有定義器件開關(guān)的瞬態(tài)電壓/電流特性，因此在EMI仿真計(jì)算中無法模擬瞬態(tài)開關(guān)特性。為彌補(bǔ)上述缺陷，有助于理解器件工作機(jī)理和進(jìn)行結(jié)構(gòu)優(yōu)化，不少文獻(xiàn)也給出了精確模擬器件特性的模型描述。Hefner等［20-22］建立的IGBT模型是最早適合電路仿真的一維數(shù)學(xué)模型和電荷控制模型，其用電感電壓的上升特性來模擬由空間電荷層（SCL）邊緣快速擴(kuò)散引起的準(zhǔn)靜態(tài)效應(yīng)（NQS），同時(shí)還考慮了影響動(dòng)態(tài)特性的非線性電容以及正向?qū)妷汉突鶇^(qū)導(dǎo)電率的調(diào)制特性，使得模型可代入綜合性的電路仿真軟件，如Saber中進(jìn)行仿真，進(jìn)而得到精確的干擾仿真計(jì)算頻譜。Laboure等［23］針對(duì)EMI預(yù)測(cè)建立了半精確的二極管和IGBT模型，該類模型的一部分基于精確的解析模型，另外一部分是結(jié)合仿真軟件中的子電路實(shí)現(xiàn)，同時(shí)考慮了電荷貯存的動(dòng)態(tài)特性和寄生容性影響的靜態(tài)特性，用電壓控制電流源描述二極管的反向恢復(fù)電流效應(yīng)和IGBT的拖尾特性。Ma等［24-25］則從半導(dǎo)體器件物理出發(fā)得到了二極管與SCR，GTO，MOSFET，IGBT等功率器件的半精確模型，從結(jié)構(gòu)上將半導(dǎo)體器件分成幾個(gè)特殊區(qū)域，采用集中電荷方法對(duì)充電結(jié)點(diǎn)進(jìn)行了物理和電路分析，根據(jù)電流密度方程、PN結(jié)方程、泊松方程等最后得到器件的模型，該模型進(jìn)一步擴(kuò)寬了功率器件的干擾模型建立，但也存在小信號(hào)模型不適宜大功率電路仿真的缺點(diǎn)。Azar等［26］在Pspice下建立了大功率非線性電路仿真專用的IGBT模型?？紤]到過于復(fù)雜的功率器件模型易導(dǎo)致仿真結(jié)果不收斂，Nienhaus和Collantes等［27-28］進(jìn)一步建立了大功率MOSFET高頻電路模型來改善這一狀況。這種簡(jiǎn)化的模型屬經(jīng)驗(yàn)宏模型，最大優(yōu)點(diǎn)是可直接應(yīng)用于Saber軟件進(jìn)行仿真，模型的參數(shù)直接來源于器件生產(chǎn)廠家提供的參數(shù)手冊(cè)，其高頻響應(yīng)也足以令人滿意。袁義生［29］提出用改進(jìn)的集總電荷模型描述PIN二極管的動(dòng)態(tài)和靜態(tài)特性，用基于小信號(hào)LDMOS內(nèi)核建立了功率VDMMOSFET的高頻模型?？傊诜治鲭娏ο到y(tǒng)電力電子器件的傳導(dǎo)干擾方面，基于半導(dǎo)體物理特性而建立的解析模型較復(fù)雜且計(jì)算量大，而仿真模型則過于依賴專業(yè)的軟件環(huán)境，通用性不強(qiáng)。對(duì)傳導(dǎo)干擾預(yù)測(cè)而言，基于器件的高頻等效電路建立開關(guān)行為模型，研究開關(guān)瞬態(tài)電壓和電流特性是一種可行的改進(jìn)方向，該方法不僅降低了復(fù)雜性，且可保證干擾預(yù)測(cè)的精確度［30］。

1.2輻射電磁干擾建模研究

輻射干擾是更復(fù)雜的電磁場(chǎng)問題，須根據(jù)電路的不同特性和導(dǎo)體不同的幾何結(jié)構(gòu)來建立不同的模型，目前，還沒有文獻(xiàn)給出較寬頻率范圍內(nèi)輻射電磁干擾的精確建模和求解方法。Youssef等［31-32］對(duì)小尺寸的Buck電路在30~100MHz范圍內(nèi)的近場(chǎng)輻射干擾機(jī)理進(jìn)行了研究，其采用磁矢位（magneticvectorpotential）公式進(jìn)行計(jì)算，并用磁場(chǎng)探頭對(duì)電路上方一定高度的磁場(chǎng)進(jìn)行測(cè)量而求出輻射分布，但由于簡(jiǎn)化因素較多，該建模所能預(yù)測(cè)的干擾頻帶寬度非常有限，不適用于較高的頻率。Joshi等［33］在忽略輻射源的輻射延遲效應(yīng)和假定電力電子裝置輻射頻率較低的條件下，對(duì)系統(tǒng)內(nèi)的近場(chǎng)輻射采用偶極子疊加方式計(jì)算，對(duì)系統(tǒng)外近場(chǎng)則將開關(guān)器件視為電偶極子，將電感視為磁耦合極子進(jìn)行計(jì)算，得到了較為精確的輻射干擾模型。Cristina等［34］分析了不同負(fù)載狀態(tài)近場(chǎng)的變化，指出負(fù)載大小決定了近場(chǎng)輻射的性質(zhì)；Igarashi等［35］研究了一個(gè)半橋式電路的開關(guān)過程，指出功率器件的輸出電容與電路中寄生電感之間的振蕩電流是產(chǎn)生輻射干擾的機(jī)理之一；Felic等［36］討論了散熱器對(duì)開關(guān)電源電路輻射干擾的影響。從輻射干擾的研究文獻(xiàn)看，大多是針對(duì)布線簡(jiǎn)單的電路和相對(duì)規(guī)則的研究對(duì)象，頻率還限于近場(chǎng)范圍，主要分析由高頻環(huán)路電流引起的輻射問題，對(duì)于其他的輻射源及機(jī)理研究還未見有公開。

2電磁干擾抑制方法研究

電力電子裝置電磁干擾機(jī)理的研究主要是為干擾抑制方法奠定基礎(chǔ)，國(guó)內(nèi)外研究人員對(duì)此做了大量工作。一般抑制干擾的主要機(jī)理是從抑制干擾源和阻斷干擾傳播路徑兩方面入手，針對(duì)不同的研究對(duì)象，提出了許多頗具效果的電磁干擾抑制方法。

2.1開關(guān)電源的干擾對(duì)消抑制技術(shù)Wu等［37-38］率先提出了共模電流平衡的觀點(diǎn)來消除開關(guān)電源變換器的共模干擾。該思想的原理是，在Boost濾波電感上增加一個(gè)匝數(shù)比為1∶1的反相繞組接在附加MOSFET上，并與主電路MOSFET一起安裝在散熱器上，使得共模電流在兩個(gè)MOSFET與散熱器之間互相抵消，從而抑制電網(wǎng)側(cè)的共模干擾。Cochrane等［39-40］在此基礎(chǔ)上提出了改進(jìn)思路，即在開關(guān)電源中的隔離輸出變壓器上增加一路與初級(jí)繞組反相的補(bǔ)償繞組和一個(gè)等效電容，將共模干擾控制在裝置內(nèi)部，并在多種DC-DC變換器和三相逆變器中進(jìn)行了校驗(yàn)。Shoyama和Crosato等［41-42］闡述了類似的對(duì)消思想方法，并在各種DC-DC變換器中進(jìn)行了應(yīng)用；Li等［43］提出了在變換器中設(shè)置反相有源嵌位技術(shù)的共模干擾抑制方法。干擾對(duì)消抑制技術(shù)的主要缺點(diǎn)是增加了電路的重量和體積，變壓器在高頻時(shí)的隔離問題也比較難解決。

2.2逆變器干擾抑制技術(shù)變頻驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的PWM逆變器在輸出三相中點(diǎn)存在共模電壓，同時(shí)存在漏電流和軸承電流而形成共模干擾，嚴(yán)重干擾電網(wǎng)并制約了電機(jī)的工作壽命?？刂颇孀兤鳟a(chǎn)生的共模干擾一般采用阻斷干擾傳播路徑，即設(shè)計(jì)濾波器的方法，通常有無源和有源兩種形式。除傳統(tǒng)的共模扼流圈、共模變壓器、線路電抗器及RCL無源濾波網(wǎng)絡(luò)外，最近有文獻(xiàn)提出，采用將DC鏈中點(diǎn)引入輸出無源濾波器中點(diǎn)的方法可以大大降低逆變器輸出側(cè)dv/dt，減小共模干擾。Ogasawara等［44］從1997年開始研究共模干擾有源消除器（ACC）的設(shè)計(jì)，其思想是通過在逆變器輸出側(cè)的對(duì)稱Y電容對(duì)共模電壓進(jìn)行取樣，經(jīng)過兩級(jí)射極跟隨器產(chǎn)生補(bǔ)償信號(hào)由共模變壓器反相后對(duì)共模干擾進(jìn)行補(bǔ)償。Takahashi等［45］提出了一種采用電流注入型濾波器來消除電機(jī)的漏電流的方法，其實(shí)質(zhì)是通過引入漏電流的負(fù)反饋，經(jīng)過共模變壓器在電網(wǎng)側(cè)進(jìn)行補(bǔ)償以消除共模干擾。Julian等［46-47］提出的三相四橋臂結(jié)構(gòu)的逆變器和六橋臂結(jié)構(gòu)的逆變器利用對(duì)稱性可以消除共模電壓，證明了在四橋臂結(jié)構(gòu)中結(jié)合適當(dāng)?shù)氖噶靠刂撇呗钥蓽p小50%的共模電壓干擾。VonJouanne等［48］提出在雙逆變器驅(qū)動(dòng)的雙繞組電機(jī)系統(tǒng)中，通過對(duì)稱觸發(fā)技術(shù)可以有效降低共模電壓。Mutoh等［49-50］通過研究集成功率模塊的封裝技術(shù)和多層PCB的設(shè)計(jì)技術(shù)來控制變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)產(chǎn)生的電磁干擾，通過在4層PCB板中對(duì)稱布置正、負(fù)母線結(jié)構(gòu)來消除直流側(cè)電容的差模電流，通過在主要干擾耦合點(diǎn)與地之間串入電阻來抑制共模電流高頻諧振，從而減小主要諧振頻率點(diǎn)的干擾峰值。以上對(duì)于干擾抑制的研究主要采用的是試探比對(duì)的方法，通過實(shí)驗(yàn)進(jìn)行校驗(yàn)。由于對(duì)抑制效果缺乏理論上的定量預(yù)測(cè)，因此提出的方法只能針對(duì)具體同類或某幾類裝置，不具備普適性和通用性。

2.3其它干擾抑制技術(shù)采用軟開關(guān)技術(shù)以減緩開關(guān)的電壓和電流的上升沿與下降沿，從而減小電磁干擾發(fā)射，其對(duì)干擾抑制的效果主要體現(xiàn)在1MHz以上的高頻段。功率開關(guān)器件的開關(guān)波形受門極驅(qū)動(dòng)電壓和雜散參數(shù)的影響，因此延長(zhǎng)開關(guān)的導(dǎo)通和關(guān)斷過渡時(shí)間可以降低高頻傳導(dǎo)干擾的等級(jí)。但同時(shí)開關(guān)時(shí)間的延長(zhǎng)又會(huì)增大開關(guān)損耗，降低控制性能，因此在折衷考慮降低開關(guān)損耗的同時(shí)，要將電磁干擾發(fā)射控制在一定等級(jí)。近年來學(xué)者提出的載頻調(diào)制技術(shù)（CFM）、隨機(jī)調(diào)制技術(shù)（RPWM）、ΣΔ調(diào)制技術(shù)（SDM）和分散譜調(diào)制技術(shù)（SSM）等都可以達(dá)到減小由PWM調(diào)制過程產(chǎn)生的諧波干擾的目的；混沌PWM控制技術(shù)（CB-PWM）也可以對(duì)指定頻率點(diǎn)上集中的干擾能量進(jìn)行擴(kuò)散平均化處理。這些新技術(shù)的目標(biāo)是改善諧波干擾分布，其本質(zhì)是在時(shí)域?qū)Ω蓴_脈沖進(jìn)行位移處理以使干擾能量在頻域上平均分布，因而可大幅降低開關(guān)頻率的整數(shù)次諧波幅值，但同時(shí)會(huì)加重邊帶諧波含量。這些EMI抑制技術(shù)的主要局限性是難以在模擬控制電路中實(shí)現(xiàn)。電磁干擾抑制是一個(gè)綜合性、系統(tǒng)性的工程，對(duì)于艦船電力系統(tǒng)的各類電力電子裝置和敏感設(shè)備而言，通常在實(shí)際工程中同時(shí)使用多種方法：既通過內(nèi)置濾波器減小干擾源的干擾發(fā)射，也通過屏蔽來切斷干擾傳播路徑，同時(shí)通過接地等措施減小敏感設(shè)備的受擾程度，還通過器件、引線等進(jìn)行合理的結(jié)構(gòu)布置，減小雜散參數(shù)的影響，降低干擾耦合度進(jìn)而達(dá)到抑制電磁干擾、提高電磁兼容性的目的。

3結(jié)語

電磁兼容性問題經(jīng)過100多年的發(fā)展，在電磁干擾的理論分析預(yù)測(cè)與干擾抑制的工程實(shí)踐方面都取得了長(zhǎng)足的發(fā)展。艦船獨(dú)立平臺(tái)空間狹小、電力電子裝置和設(shè)備密集的特點(diǎn)決定了其電磁兼容性問題的突出性和復(fù)雜性，因此獲得了更多的研究和關(guān)注。當(dāng)前，電磁兼容性工程設(shè)計(jì)和預(yù)測(cè)分析已成為艦船裝備發(fā)展的重要組成部分和影響裝備戰(zhàn)斗力與生命力的關(guān)鍵因素。各國(guó)學(xué)者針對(duì)艦船電磁兼容性方面的不同研究對(duì)象、不同頻段的干擾問題，在干擾測(cè)量、干擾傳播特性、干擾預(yù)測(cè)和干擾抑制等方面進(jìn)行了大量、細(xì)致的研究，取得了一定成果。本文在簡(jiǎn)述艦船電磁兼容研究范疇和內(nèi)容的基礎(chǔ)上，針對(duì)構(gòu)成艦船電力系統(tǒng)的主要電力電子設(shè)備，綜述了開關(guān)電源、變頻驅(qū)動(dòng)裝置和功率器件等主要構(gòu)件的傳導(dǎo)電磁干擾機(jī)理、建模預(yù)測(cè)及抑制方法，介紹了輻射干擾機(jī)理研究的新進(jìn)展。盡管諸多研究都還存在欠普適性和一般性的問題，但為艦船電磁兼容性的進(jìn)一步研究奠定了理論和方法基礎(chǔ)。由于電磁兼容性是一門正在發(fā)展的新興學(xué)科，同時(shí)艦船獨(dú)立移動(dòng)平臺(tái)電磁干擾研究領(lǐng)域涉及面較廣，屬于多學(xué)科交叉的新領(lǐng)域，因此還有許多問題尚待進(jìn)一步研究：1）在傳導(dǎo)干擾的定量預(yù)測(cè)方面有較大進(jìn)展，但對(duì)于獨(dú)立拓?fù)浜蛷?fù)雜空間結(jié)構(gòu)的電力電子裝置，還缺少合理、定量和通用的描述方法。2）隨著艦船信息化、智能化步伐的加快，電力電子裝置的開關(guān)頻率越來越高，干擾頻段越來越寬，特別是對(duì)于非線性起主導(dǎo)作用的高頻干擾而言，其建模和預(yù)測(cè)研究需進(jìn)一步深入。3）涵蓋100MHz~50GHz頻段內(nèi)的輻射干擾機(jī)理理論分析和建模研究還需要有新的理論突破。4）當(dāng)前的電磁干擾抑制方法仍然是建立在事后抑制的基礎(chǔ)上，因此建立艦船電磁兼容性設(shè)計(jì)的實(shí)時(shí)仿真模型，在設(shè)計(jì)階段充分考慮電磁干擾抑制問題將具有更加重大的意義。

作者：范昕單位：海軍裝備部駐武漢地區(qū)軍事代表局