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半導(dǎo)體器件的可靠性范文第1篇

關(guān)鍵詞：貼片；半導(dǎo)體；可靠性；工作；研究

中圖分類號：TO306 文獻標識碼：A 文章編號：1006-8937（2014）2-0126-02

貼片半導(dǎo)體器件以其體積小、重量輕的特點，滿足了航天武器系統(tǒng)小型化的需求，逐漸被用來替代金屬或陶瓷封裝的分體式器件。隨著使用過程中暴露出的質(zhì)量問題，貼片半導(dǎo)體器件的質(zhì)量越來越受到各使用單位的關(guān)注，為確保貼片半導(dǎo)體器件的裝機質(zhì)量，在裝機前剔除參數(shù)超差或有潛在工藝缺陷的器件，開展貼片半導(dǎo)體器件的可靠性工作研究很有必要。

1 貼片半導(dǎo)體器件的封裝形式

①貼片陶瓷半導(dǎo)體器件的封裝形式主要有：SMD-0.1、SMD-0.2、SMD-0.5、SMD-1、SMD-2、SOT-23C、UA、UB等。

②貼片玻璃半導(dǎo)體器件的封裝形式主要有：Mili-MELF（DO-213AA）、LL34/LL35等。

③貼片塑料半導(dǎo)體器件的封裝形式主要有：SMA（DO-214AC）、SMB（DO-214AA）、SMC（DO-214AB）、SOD123、SOD323、SOD523、SOT-23、SOT-223、SOT-89、TO-252、D2Pak、

SO-8等。

2 可靠性工作中遇到的問題及解決措施

2.1 高溫試驗后引腳氧化問題

貼片半導(dǎo)體器件的引腳在高溫環(huán)境下容易氧化變黑，影響器件的可焊性，建議參照PEM-INST-001取消了高溫貯存試驗項目，增加溫度循環(huán)試驗次數(shù)。

2.2 貼片半導(dǎo)體器件可靠性試驗中受機械應(yīng)力引腳變形

問題

貼片半導(dǎo)體器件引腳短、薄、軟，受力極易變形，引腳變形后反復(fù)整形會導(dǎo)致引腳損傷或折斷，也會導(dǎo)致器件可焊裝降低，因此在檢測、篩選試驗過程中應(yīng)采取以下措施：

①貯存及運輸過程中采取單個獨立包裝或編帶包裝，周轉(zhuǎn)中采用防靜電托盤單層存放，以防相互碰撞或擠壓導(dǎo)致引腳變形。

②取放器件應(yīng)使用專用的鑷子或吸盤，避免用鑷子直接夾持器件引腳。

③應(yīng)選擇適合器件尺寸的夾具，避免由于夾具尺寸與器件尺寸配合不當(dāng)導(dǎo)致引腳受力扭曲變形；同樣的封裝外形，不同生產(chǎn)廠家、或同一廠家不同批次結(jié)構(gòu)尺寸會不同，用相同夾具進行試驗會出現(xiàn)接觸不良或引腳變形，建議每次試驗前一定要進行裝夾檢查。

④每次裝夾以及試驗結(jié)束后應(yīng)在放大鏡下進行外觀檢查，用專用工具對輕微變形的引腳進行矯形，并剔出引腳嚴重變形的器件。

2.3 功率老煉過應(yīng)力問題

貼片半導(dǎo)體器件試驗夾具一般采用上下翻蓋的裝夾方式，這種裝夾方式存在散熱不良的問題。如果功率老煉試驗應(yīng)力不當(dāng)會導(dǎo)致器件過熱擊穿。

①整流、開關(guān)等普通二極管取1～1.5倍的額定正向電流，建議取器件的額定正向電流進行功率老煉；如殼溫過高時功率老煉的正向電流可取0.8倍的額定電流及以上。

②穩(wěn)壓二極管取1～1.5倍的額定耗散功率，也有取最大穩(wěn)壓電流IZM；建議取最大穩(wěn)壓電流進行功率老煉。

③三極管的功率老煉條件取1倍的額定耗散功率；功率老煉過程中應(yīng)監(jiān)控器件殼溫，根據(jù)可靠性工作經(jīng)驗，塑封小功率器件殼溫控制在55～70 ℃范圍內(nèi)，陶瓷、玻璃封裝器件殼溫控制在80～90 ℃范圍內(nèi)，如殼溫過高則建議參照GJB/Z 35-93《元器件降額準則》的要求，耗散功率可取0.75倍的額定功率及以上。

④高頻三極管的功率老煉試驗需定制專用老化板，在老煉回路中增加濾波電容器、電感器以防自激振蕩，否則試驗后會導(dǎo)致器件性能下降，甚至功能失效。

2.4 高溫反偏的應(yīng)力條件

①高溫反偏試驗關(guān)鍵的應(yīng)力條件為溫度、反向電壓和漏電流。

②普通器件的高溫反偏不存在任何風(fēng)險，只要夾具接觸可靠即可，但肖特基二極管高溫反偏需引起高度重視，特別是貼片肖特基二極管的高溫反偏試驗，稍有不慎會導(dǎo)致批次性過熱擊穿。在進行肖特基二極管高溫反偏試驗時需采取以下措施：

第一，每個型號規(guī)格的器件進行試驗之前應(yīng)先用樣片進行摸底試驗，肖特基二極管在溫度（一般取100 ℃）一定的情況下，根據(jù)器件的熱阻及試驗結(jié)果確定器件的試驗電壓，但最低不得小于0.5倍的額定反向直流工作電壓；

第二，每批次器件開始試驗之前，應(yīng)先抽取2只樣品進行試驗，以掌握該批次器件的反向漏電流指標情況，計算設(shè)備的最大負載能力；

第三，當(dāng)單個漏電流值大于5 mA時，建議控制每次試驗的數(shù)量，試驗數(shù)量過多，每路之間相互影響，極易導(dǎo)致器件擊穿。

3 結(jié) 語

貼片半導(dǎo)體器件由于受封裝外形、試驗夾具等諸多因素的影響，在開展可靠性工作研究中遇到了許多問題，通過多年的研究和技術(shù)公關(guān)，問題都迎刃而解，取得了一些成績，開發(fā)出一千多個型號規(guī)格的檢測、老煉程序，建成了貼片半導(dǎo)體器件可靠性保障能力，成為科工四院元器件可靠性分中心，也成為科技一院、科工二院、科工三院授權(quán)的元器件質(zhì)量保證單位，為航天、航空、船舶、電子儀器等領(lǐng)域的產(chǎn)品提供了可靠性保障工作，為各行各業(yè)電子產(chǎn)品的可靠性做出了貢獻。

參考文獻：

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半導(dǎo)體器件的可靠性范文第2篇

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體封裝；封裝機器；裝備維護

引言

隨著我國經(jīng)濟的發(fā)展，計算機技術(shù)也得到了巨大的發(fā)展。在計算機發(fā)展的過程中，半導(dǎo)體器件的發(fā)展具有重要的作用。在計算機剛發(fā)明的時候，其體積非常巨大，而如今的計算機越來越小，集成度越來越高，這主要就是歸功于半導(dǎo)體科技的不斷發(fā)展。半導(dǎo)體芯片的集成度不斷提高使計算機的處理功能越來越強，同時計算機的體積也越來越小。而在提高集成度這一環(huán)節(jié)中，半導(dǎo)體封裝技術(shù)具有重要的作用。從最初的封裝設(shè)備需要從國外引進，到如今自己能夠制造出先進的封裝設(shè)備，半導(dǎo)體封裝技術(shù)在國內(nèi)取得了迅速的發(fā)展。本文將先介紹半導(dǎo)體封裝機器的相關(guān)概念和重要作用，再探討封裝機器的管理和維護工作。

1 半導(dǎo)體封裝機器概述和作用

1.1 半導(dǎo)體封裝機器概述

半導(dǎo)體器件是電子產(chǎn)品的重要組成部分，它在電子產(chǎn)品中起著信號控制和處理的作用。在半導(dǎo)體封裝的過程中可以分為以下幾步：

第一，進行劃片工作，對晶圓進行貼膜后，利用晶圓切割機器對晶圓進行切割，切割同時機器還具有自動清洗功能，以去除各種殘留的粉塵和硅渣，以避免影響產(chǎn)品的質(zhì)量。第二，進行粘片工作，粘片時用銀漿將芯片進行粘貼，方便產(chǎn)品的散熱，并有良好的導(dǎo)電性。粘片機所使用的動力來自于壓縮空氣。第三，進行引線壓焊工作，目前比較先進的壓焊技術(shù)為超聲壓焊，它是利用壓焊機器的劈刀將焊接面和焊線進行摩擦，從而保證焊接面的光滑，順利完成焊接工作。第四，塑封工藝，首先要用排片機將壓焊好后的產(chǎn)品放到預(yù)熱臺上進行預(yù)熱，然后用包封機進行合模加壓，用高頻預(yù)熱機進行封料軟化，最后進行注塑后固化工作。第五，進行后固化工作，需要用專業(yè)的烘箱設(shè)備對塑封后的產(chǎn)品進行4個小時的加熱，使產(chǎn)品的性能更佳。第六，進行打標工作，需要利用激光打標機對產(chǎn)品進行標記的刻印。第七，進行電鍍，電鍍前需要用溢料機對產(chǎn)品進行溢料，然后對產(chǎn)品表面進行鍍錫工作。第八，進行切筋切斷工作，利用相關(guān)切斷設(shè)備將整條已經(jīng)電鍍的產(chǎn)品進行切割。第九，測試包裝工作，將經(jīng)過上述多道工序后的產(chǎn)品進行電性測試，自動區(qū)分合格品和不合格品。將測試合格后的產(chǎn)品進行封裝。

最初的封裝形式為三極管時代的插入式封裝，后面出現(xiàn)了表面貼裝式封裝，如今模塊封裝和系統(tǒng)封裝應(yīng)用比較廣泛等。半導(dǎo)體封裝的相關(guān)機器有很多，根據(jù)封裝形式的不同，封裝機器也有很多種。

1.2 半導(dǎo)體封裝機器的作用

在半導(dǎo)體封裝過程中會用到很多的封裝機器，封裝機器的整體作用是完成整個半導(dǎo)體封裝的過程。而半導(dǎo)體封裝不僅要保護內(nèi)部免受外界環(huán)境的影響，也要加強芯片內(nèi)外的連接能力。綜合來說，封裝機器進行半導(dǎo)體封裝具有以下作用：

第一，對芯片進行物理保護。芯片是一個非常重要的部分，所以一旦受到損害，產(chǎn)生的后果非常嚴重。通過半導(dǎo)體封裝，芯片與外界得到了隔離，一方面可以避免空氣中的雜質(zhì)對芯片進行腐蝕，另一方面也能夠避免溫度過高等產(chǎn)生應(yīng)力而損壞芯片。

第二，實現(xiàn)電氣連接。根據(jù)功能的需求，利用封裝可以對電路板上的間距進行合理的調(diào)整，從而便于實際的安裝，保證電氣連接合理通暢。合理的封裝不僅可以降低相關(guān)的材料費用，而且還能保證芯片的高質(zhì)量和可靠性。比如，合理的布線長度以及阻抗配比可以保證芯片的質(zhì)量和效率。

第三，實現(xiàn)標準規(guī)格化。在半導(dǎo)體封裝時，需要確定封裝的尺寸、形狀以及長度間距等等，這不僅僅可以建立封裝的標準，而且能夠跟電路板等廠家進行配合，從而實現(xiàn)整個產(chǎn)品的標準化過程。

2 半導(dǎo)體封裝機器的維護

半導(dǎo)體封裝機器的可靠性在很大程度上決定著半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量，所以封裝企業(yè)要做好封裝機器的質(zhì)量和維護工作，保證封裝機器的正常運行。

半導(dǎo)體封裝機器雖然操作簡單，工作精度高，但這同時也決定了它的機械結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜，自動化的程度比較高，發(fā)生故障的概率以及解決成本更加高。半導(dǎo)體機器中具有機械系統(tǒng)、電氣系統(tǒng)以及軟件系統(tǒng)等等，在每個系統(tǒng)中也都存在著很多子系統(tǒng)。多個系統(tǒng)的相結(jié)合，設(shè)計不到位，就很容易降低封裝機器的可靠性。

為了加強半導(dǎo)體封裝機器的可靠性，就要從以下幾個方面加強工作。第一，加強工作人員素質(zhì)的培養(yǎng)，讓工作人員在封裝過程中盡職盡責(zé)，盡量減少人為失誤造成機器故障。第二，提高封裝機器的可靠度，不斷將新技術(shù)融合到封裝機器上，比如自動故障診斷識別系統(tǒng)以及生產(chǎn)報告生產(chǎn)系統(tǒng)等等。第三，加強封裝機器的檢修工作，建立定時的檢查機制，實時監(jiān)控封裝機器的運行情況，發(fā)現(xiàn)問題能夠及時的進行修理維護工作。

結(jié)語

半導(dǎo)體的迅速發(fā)展對電子計算機技術(shù)以及經(jīng)濟的發(fā)展都具有重要作用，而半導(dǎo)體封裝機器的封裝環(huán)節(jié)在半導(dǎo)體器件中具有重要作用。本文介紹了半導(dǎo)體封裝機器的相關(guān)概念和重要作用，探討了封裝機器的管理和維護工作。

參考文獻

半導(dǎo)體器件的可靠性范文第3篇

[關(guān)鍵詞]變頻調(diào)速原；及變頻方案可靠性；分析

中圖分類號：TM921.5 文獻標識碼：A 文章編號：1009-914X（2015）03-0150-01

目前，變頻調(diào)節(jié)技術(shù)由于具有顯著的節(jié)能優(yōu)勢而發(fā)展迅速，并得到了廣泛的應(yīng)用。電機在采用變頻調(diào)速后，其調(diào)速范圍相對較廣寬，同時其平滑性相對較高，其機械特性也相對較硬，能夠有效實現(xiàn)實現(xiàn)軟啟動，有效降低對電網(wǎng)的沖擊和機械負載的沖擊，并能夠在實現(xiàn)顯著節(jié)能的同時，有效提升電機的使用壽命。

一、交流調(diào)速功率控制原理

從對功率控制角度進行分析，能夠得出如圖1所示的異步電動機功率模型圖。異步電動機在運轉(zhuǎn)過程中，定子從電源中吸收電功率P1，同時吸收無功功率勵磁，建立旋轉(zhuǎn)磁場，將P1轉(zhuǎn)化為電磁功率Pem，根據(jù)能量守恒原理可以得出異步機按定子電磁功率為：

Pem=P1-P1（P1表示定子輸入電功率，P1表示定子功率損失）

根據(jù)以上功率理論可知，有效控制機械功率PM是異步機調(diào)速的實質(zhì)所在，即變頻調(diào)速原理為通過功率控制來實現(xiàn)其轉(zhuǎn)速的改變。由此可以推導(dǎo)出：電氣變頻調(diào)速包括電磁功率Pem和損耗功率P2兩種原理，所有變頻調(diào)速方法均基于這兩種原理。變頻調(diào)速的原理直接決定調(diào)速性能，盡管變頻調(diào)速時采用的方法不同，然而只要其調(diào)速原理相同，難么其調(diào)速性能必然一致。根據(jù)功率控制理論，以定子為控制對象、電磁功率為控制目的的變頻調(diào)速系統(tǒng)可以用圖2進行表示。

由公式Pem=P1-P1可以得出，為了對Pem進行高效控制，必須對定子的輸入功率P1進行有效控制。在電機運行過程中，P1可以用以下公式表示：

在公式中，電機客觀存在的負載轉(zhuǎn)矩直接決定了I1cosφ1，無法作為變頻調(diào)速的控制量，在變頻調(diào)速過程中無法改變電源相數(shù)，只能通過控制定子端電壓U1對P1進行有效控制，從而實現(xiàn)變頻調(diào)速。在異步電機運行過程中，定子有著產(chǎn)生電磁功率和旋轉(zhuǎn)主磁場的功能。在實際變頻調(diào)速過程中，僅僅通過調(diào)整定子端電壓能以實現(xiàn)高效率調(diào)速，單純對異步電機定子端電壓進行調(diào)整，會導(dǎo)致主磁通出現(xiàn)降低，破壞高效調(diào)速所遵守的φm=C原則，導(dǎo)致異步機損耗急劇增大，無法改變異步機的理想空載轉(zhuǎn)速，同時還會增大損耗功率和轉(zhuǎn)速降。

為了確保在改變U1時仍然滿足原則，變頻調(diào)速應(yīng)當(dāng)遵守φm=C以下電機學(xué)規(guī)律：

同時在調(diào)速過程中對電壓頻率f1進行控制，確保壓頻比U1/f1為常量。

由以上分析可以得出：基于定子的電磁功率控制是變頻調(diào)速的實質(zhì)，通過調(diào)壓、變頻二元控制等方法實現(xiàn)變頻調(diào)速。

二、高壓變頻方案及其可靠性

小容量絕緣柵極型功率管（IGBT）具有較高的可靠性，無需進行串并聯(lián)，使得小功率變頻調(diào)速的可靠性相對較高。然而，高壓、大功率變頻調(diào)速的可靠性相對復(fù)雜。對于高壓變頻調(diào)速，目前國外半導(dǎo)體極限理論研究取得了一定進展，已研究出接近極限的二極管，該極限二極管的電壓仍然無法滿足直接6～10kV電源線安全使用的要求。下文就高壓變頻方案及其可靠性進行分析。

（一）高壓變頻方案

第一，變壓器變頻方案。變壓器調(diào)速方案包括如圖3所示的“高一低”和“高一低一高”變壓技術(shù)方案。在變壓器變頻方案中主要采用回避高壓來實現(xiàn)變頻。采用變壓器變頻方案需要大容量變壓器，使得變頻成本和損耗增高，同時也會增大增大電流，使得IGBT產(chǎn)生并聯(lián)均流問題。

第二，IGBT直接串聯(lián)變頻方案。該方案通過將高壓進行分解，有效降低各個IGBT器件的實際電壓，從而實現(xiàn)變頻。IGBT直接串聯(lián)變頻方案難以有效解決串聯(lián)均壓問題。

第三，多電平串聯(lián)變頻方案。該變頻方案有機結(jié)合了變壓器變頻方案和器件串聯(lián)方案結(jié)合。相比于變壓器變頻的“高一低一高”方案，其少一臺變壓器；相比于IGBT直接串聯(lián)方案能夠有效提高均壓可靠性。然而多電平串聯(lián)變頻方案未能有效有效避免增加變壓器產(chǎn)生的成本，同時也未能從根本上有效解決半導(dǎo)體器件串聯(lián)均壓問題。

（二）高壓變頻可靠性分析

第一，半導(dǎo)體串聯(lián)均壓和電流可靠性分析。均壓即是串聯(lián)器件的電壓平均分配率，電路中理想狀態(tài)下的均壓為各個串聯(lián)器件兩端電壓均相等且為總電壓的1/n。為實現(xiàn)理想狀態(tài)下的均壓，必須確保各個串聯(lián)電器的電參數(shù)完全相同，然而半導(dǎo)體器件存在離散性，難以實現(xiàn)理想狀態(tài)下的完全均壓，最多能達到近似均壓，尤其是可控器件實現(xiàn)均壓的技術(shù)難度最大，其效果也最差。串聯(lián)的不均壓直接降低了承擔(dān)電壓高的器件可靠性，一些串聯(lián)器件甚至被擊穿，并引發(fā)一系列的連鎖反應(yīng)，使得串聯(lián)器件全部受到損壞。串聯(lián)系統(tǒng)變頻可靠性取決于n個串聯(lián)器件可靠性之積，串聯(lián)元件越多，串聯(lián)系統(tǒng)的可靠性相對越低。對于冗余設(shè)計的串聯(lián)電路，其各個串聯(lián)元件之間相互分擔(dān)電壓，使得冗余的從元件能夠有效改善主元件電壓可靠性，但值得一提的是，串聯(lián)系統(tǒng)中任何一個元件開路性失效均會使得串聯(lián)系統(tǒng)開路。串聯(lián)數(shù)量增多會降低串聯(lián)系統(tǒng)的電流可靠性，尤其是在電流源型的電路中，電器元件開路會出現(xiàn)嚴重的過電壓，擊穿元件，影響串聯(lián)系統(tǒng)的可靠性。

第二，半導(dǎo)體并聯(lián)均流和電壓可靠性分析。均流即是并聯(lián)電路的電流平均分配率，并聯(lián)系統(tǒng)變頻可靠性取決于n個并聯(lián)器件可靠性之積，在并聯(lián)系統(tǒng)中任何元件電壓擊穿均會破壞均會聯(lián)系統(tǒng)的電壓可靠性，尤其是電壓源型電路，任何元件擊穿都將導(dǎo)致并聯(lián)系統(tǒng)出現(xiàn)短路。

第三，多電平串聯(lián)變頻可靠性分析。通常情況下，IGBT損壞尤其是IGBT被電壓擊穿是導(dǎo)致多電平串聯(lián)變頻方案出現(xiàn)故障的主要原因，直接影響多電平串聯(lián)變頻效果。一方面，IGBT的芯片結(jié)構(gòu)存在問題，使得多電平串聯(lián)變頻方案中IGBT被擊穿。由于受生產(chǎn)工藝限制，IGBT的芯片pn結(jié)邊緣處幾乎呈直角形，缺乏像晶閘管的斜坡，使得器件耐過電壓能力降低，承受過壓時間的縮短，使得IGBT被電壓擊穿。另一方面，串聯(lián)單元動態(tài)開、關(guān)特性不一致，使得各單元瞬時0電壓存在不均勻顯現(xiàn)，導(dǎo)致IGBT被電壓擊穿，從而影響多電平串聯(lián)變頻可靠性。

結(jié)束語

本文在分析基于功率控制的變頻調(diào)速原理的基礎(chǔ)上，得出基于定子的電磁功率控制是變頻調(diào)速的實質(zhì)，通過對變壓器方案、IGBT直接串聯(lián)以及多電平串聯(lián)方案結(jié)構(gòu)、優(yōu)勢及可靠性研究，得出采用IGBT變流器件的變頻調(diào)速無法滿足電業(yè)為6～10Kv的高壓變速調(diào)頻的安全要求。

參考資料

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半導(dǎo)體器件的可靠性范文第4篇

【關(guān)鍵詞】微電子專業(yè)實驗 教學(xué)改革

【中圖分類號】G424 【文獻標識碼】A 【文章編號】1006-5962（2013）02（a）-0019-01

引言：

微電子學(xué)是一門發(fā)展極為迅速的學(xué)科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微電子學(xué)發(fā)展的方向?，F(xiàn)代社會是一個信息社會，信息技術(shù)發(fā)展的方向是多智能化、網(wǎng)絡(luò)化和個體化。要求系統(tǒng)獲取和存儲海量的多媒體信息、以極高速度精確可靠的處理和傳輸這些信息并及時地把有用信息顯示出來或用于控制。所有這些都只能依賴于微電子技術(shù)的支撐才能成為現(xiàn)實。超高容量、超小型、超高速、超高頻、超低功耗是信息技術(shù)無止境追求的目標，是微電子技術(shù)迅速發(fā)展的動力。

目前我國的微電子行業(yè)領(lǐng)域正以日新月異的速度高速向前發(fā)展，但是微電子專業(yè)學(xué)生往往理論強于實踐，成為制約我國微電子行業(yè)發(fā)展的最大障礙。為了培養(yǎng)出合格的微電子專業(yè)畢業(yè)生，在微電子教學(xué)過程中必須理論和實踐并重。

我們在結(jié)合我校多年微電子專業(yè)實驗教學(xué)的實踐工作以及目前微電子行業(yè)的現(xiàn)狀和前景，提出了在本科階段微電子專業(yè)實驗改革實驗內(nèi)容――抓好兩大平臺建設(shè)；革新實驗課程教學(xué)體系的新思路――因人而宜，因材施教，學(xué)生為主，教師為輔。

微電子專業(yè)實驗改革實驗內(nèi)容：

在實驗改革中主要分成兩大主要平臺：集成電路設(shè)計平臺和集成電路測試平臺。

集成電路設(shè)計平臺：

實驗室是開展研究性教學(xué)、培養(yǎng)和提高學(xué)生創(chuàng)新能力的重要陣地。微電子實驗所涉及的一些必要的實驗裝備往往價格不菲，而一些綜合性、設(shè)計性、研究探索性實驗以及課程綜合設(shè)計所需要的系統(tǒng)級先進設(shè)備和測試儀表更是價格驚人，在本科教學(xué)實驗室中根本無法配置。為了解決這一矛盾，我們在實驗室建設(shè)中引進先進的EDA軟件，包括ECAD和TCAD軟件構(gòu)建集成電路設(shè)計模塊。在這個模塊中學(xué)生可以完成（1）數(shù)字IC和模擬IC的設(shè)計：進行數(shù)字集成電路、模擬集成電路和片上系統(tǒng)SoC的設(shè)計實驗；（2）可以完成版圖設(shè)計：進行數(shù)字集成電路版圖設(shè)計、模擬集成電路版圖設(shè)計；（3）還可以完成器件和工藝設(shè)計：進行微電子器件、納電子器件和光電子器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計、性能仿真、工藝設(shè)計、參數(shù)優(yōu)化和虛擬制造的實驗。利用這些軟件學(xué)生不僅可以完成一些過去因條件限制根本無法完成的綜合性、設(shè)計性實驗和課程設(shè)計，更主要的是學(xué)生在開展科技創(chuàng)新訓(xùn)練和復(fù)雜程度高的系統(tǒng)級畢業(yè)設(shè)計中，可以首先利用這些軟件平臺進行設(shè)計、仿真分析、反復(fù)修改，在獲得正確設(shè)計和初步結(jié)果后再利用實驗設(shè)備和測試儀器進行實驗驗證。這樣做不僅減少了研究工作和實驗工作的盲目性，而且降低了運行成本和設(shè)備維修率，提高了設(shè)備利用率。

集成電路測試平臺：

該平臺是針對微電子技術(shù)本科專業(yè)中關(guān)于半導(dǎo)體器件物理、固體電子導(dǎo)論、微電子器件設(shè)計、半導(dǎo)體基礎(chǔ)實驗、集成電路測試等課程的教學(xué)要求，完成以下幾個模塊設(shè)計實驗：（1）半導(dǎo)體材料測試模塊。通過四探針測試儀（包括電腦、軟件）、導(dǎo)電類型鑒別儀、半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試儀和少子壽命測試儀可進行半導(dǎo)體材料（硅片）的導(dǎo)電類型、電阻率、電導(dǎo)率和少子壽命測試等實驗和研究。（2）半導(dǎo)體器件測試模塊。通過晶體管特性測試測試儀、數(shù)字萬用表、半導(dǎo)體特性分析儀和CV特性測試儀可進行二極管、NPN、PNP、MIS和MOS晶體管的特性測試和參數(shù)提取的實驗和研究。（3）IC在晶圓測試模塊。通過STl03A手動探針臺、數(shù)字示波器和邏輯分析儀可進行集成電路和半導(dǎo)體器件性能的在晶圓測試的實驗和研究。（4）版圖分析與電路提取模塊，利用大平臺顯微鏡、計算機和數(shù)字攝像頭可進行集成電路的版圖分析、圖形測量和電路提取實驗和研究。

微電子專業(yè)實驗課程新教學(xué)體系：

為了培養(yǎng)高素質(zhì)的、有創(chuàng)新能力的、符合新時代要求的學(xué)生，我們制定了新的微電子教學(xué)實驗大綱。新大綱具有以下特點：（一）內(nèi)容覆蓋范圍廣，包括大部分微電子專業(yè)課程內(nèi)容：半導(dǎo)體器件物理、固體物理、集成電路版圖和工藝設(shè)計、集成電路CAD和微電子器件等等；（二）對實驗者水平要求更高，編排結(jié)構(gòu)更合理。大部分實驗包含基本驗證性和綜合分析性，要求學(xué)生掌握扎實的基本知識，突出對學(xué)生能力培養(yǎng)和素質(zhì)教育；（三）大綱規(guī)定了必做實驗和選做實驗兩種類型實驗，必做類型要求所有學(xué)生都要完成，而選做實驗主要是針對部分學(xué)生開設(shè)的能力提高型實驗，做到“因人而宜，因材施教”。

與此同時，根據(jù)大綱的修訂，我們對《微電子專業(yè)實驗》講義進行了重新編排，以了解新知識，掌握新技能，培養(yǎng)新能力為重點。通過大綱和講義的修訂和編排都為微電子專業(yè)實驗的教學(xué)改革奠定了基礎(chǔ)。

半導(dǎo)體器件的可靠性范文第5篇

光電產(chǎn)業(yè)園是以光電子、電聲科技企業(yè)為主的研發(fā)生產(chǎn)基地，實施研發(fā)孵化-加速成果轉(zhuǎn)化-產(chǎn)業(yè)化的三級跟進式培育，提供金融超市、技術(shù)交易市場、檢測中心、品牌營銷管理等全方位服務(wù)，有效促進了企業(yè)的快速發(fā)展和壯大，極大地推動了企業(yè)核心競爭力的快速提升。到2015年，園區(qū)可實現(xiàn)產(chǎn)值1000億元、利稅250億元，成為國內(nèi)領(lǐng)先的光電子產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)制造基地。光電產(chǎn)業(yè)園通過強化科技、質(zhì)量、金融、人才支撐，實施了孵化器、加速器、產(chǎn)業(yè)化基地的三級跟進式培育，加快金融超市、融智平臺、技術(shù)交易市場、檢測中心等全方位的服務(wù)，促進企業(yè)的生成、發(fā)展和壯大，提升了園區(qū)功能。

據(jù)了解，在高新區(qū)光電園投資7000余萬元建設(shè)的國家級半導(dǎo)體器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗濰坊中心設(shè)有工藝驗證、LED器件檢測等10多個實驗室，可為入園企業(yè)提供“當(dāng)?shù)厣a(chǎn)、當(dāng)?shù)貦z測、當(dāng)?shù)卣J證”的一條龍服務(wù)。作為國家級權(quán)威性檢測機構(gòu)，檢測中心組建起以中科院院士、海外歸國博士為代表的研發(fā)團隊，可提供芯片、半導(dǎo)體器件、LED產(chǎn)品可靠性試驗等第三方檢測和研發(fā)服務(wù)，減少了企業(yè)檢測費用，縮短了產(chǎn)品認證周期，有效增強了光電產(chǎn)業(yè)競爭力，并輻射帶動省內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

目前，光電園聚集企業(yè)126家，其中規(guī)模以上企業(yè)26家，2011年實現(xiàn)園區(qū)主營業(yè)務(wù)收入120億元，形成了以浪潮華光、歌爾集團、中微光電子等一批骨干企業(yè)為代表的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，產(chǎn)品面向蘋果、索尼、微軟等國際品牌，成為國內(nèi)外重要的光電子產(chǎn)品研發(fā)制造基地。十二五期間，產(chǎn)業(yè)集群將新增投入500多億元，新建續(xù)建100個重點項目，培育科技型中小企業(yè)400多家，打造30多家過10億元企業(yè)，形成千億級光電產(chǎn)業(yè)集群。