前言：想要寫出一篇令人眼前一亮的文章嗎？我們特意為您整理了5篇集成電路反向分析范文，相信會(huì)為您的寫作帶來幫助，發(fā)現(xiàn)更多的寫作思路和靈感。

集成電路反向分析范文第1篇

關(guān)鍵詞：集成電路；電子元件；測(cè)量；故障；維修

中圖分類號(hào)：F407文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A

引言

集成電路是將基本的邏輯門以及它們的組合可以完成某種邏輯操作的電路集成在一塊基元的芯片或者電子電路。在電路中用字。IC。表示，即英文Integrated- circuit的縮寫。在實(shí)際使用中，我們需要關(guān)心的是它的主要參數(shù)和引腳分析。參數(shù)是指電參數(shù)和使用時(shí)的極限參數(shù)，其中電參數(shù)包括典型工作電壓下的靜態(tài)工作電流、增益、最大輸出功率。極限參數(shù)包括電源電壓、功耗、工作環(huán)境溫度和儲(chǔ)存溫度的極限值。

一、集成電路的檢測(cè)

我們?cè)跈z測(cè)前要了解集成電路及其相關(guān)電路的工作原理，熟悉所用集成電路的功能、內(nèi)部電路、主要電氣參數(shù)、各引腳的作用以及引腳的正常電壓、波形與元件組成電路的工作原理。具體如下：

（一）、確定檢修參數(shù)

檢修集成電路前，除要了解集成塊本身外部和內(nèi)部結(jié)構(gòu)、電氣性能參數(shù)、各引出腳的功能和正常使用電壓、波形等外，還應(yīng)了解它與元器件組成電路的原理。知道信號(hào)從那個(gè)引腳輸人到集成電路內(nèi)部， 對(duì)于信號(hào)在集成電路內(nèi)部的處理知道結(jié)果就可以了; 而輸出是從那個(gè)引腳到外電路的， 修理時(shí)要人為的輸人一個(gè)信號(hào)以檢查輸出正確與否，如是放大還是衰減。

（二）、集成電路引腳的識(shí)別

集成電路封裝形式多種多樣，引腳識(shí)別方法也不一樣。因此，在使用集成電路前，必須認(rèn)真查對(duì)識(shí)別集成電路的引腳，確認(rèn)電源、地、輸入、輸出、控制等引腳號(hào)，以免因接錯(cuò)而損壞器件。

引腳排列的一般規(guī)律為：圓形集成電路，識(shí)別時(shí)，面向引腳正視，從定位銷順時(shí)針方向依次為1，2，3，4，…。圓形多用于模擬集成電路。扁平和雙列直插型集成電路，識(shí)別時(shí)，將文字符號(hào)標(biāo)記正放(一般集成電路上有一圓點(diǎn)或一缺口，將缺口或圓點(diǎn)置于左方)，由頂部俯視，從左下腳起，按逆時(shí)針方向數(shù)，依次為1，2，3，4，…。扁平型多用于集成電路，雙列直插型廣泛應(yīng)用于模擬和數(shù)字集成電路。

（三）、集成電路不在線直流電阻測(cè)量法

不在線直流電阻測(cè)量法是指集成電路沒有裝在印制電路板上或集成電路未與元件連接時(shí)，測(cè)量集成電路的各引腳對(duì)于地腳的正、反向電阻。具體測(cè)量方法是：首先，在集成電路手冊(cè)上或技術(shù)資料中找到被測(cè)集成電路的型號(hào)，查到該集成電路各引腳對(duì)地接地腳的正、反向電阻的參考值；其次，用萬用表R*1KΩ 檔，一般不用R*1Ω 檔測(cè)試，以防測(cè)試電流太大而損壞集成電路。測(cè)量前應(yīng)歐姆校零，還要熟悉引腳的功能，正、反向電阻值。用萬用表測(cè)量各腳與地之間的電阻值，并與正常值相比較，以判斷不正常的部位。當(dāng)然采用這種方法也必須事先知道正常時(shí)的電阻值。

（四）、要選用內(nèi)阻較大的測(cè)試儀表

例如測(cè)集成電路引腳的直流電壓時(shí)， 應(yīng)用表頭內(nèi)阻大于20 KΩ/V周的萬用表， 否則會(huì)產(chǎn)生較大的測(cè)量誤差。要使功率集成電路散熱良好，不允許在不帶散熱片的情況下，處于大功率工作狀態(tài)。引線要合理， 如要加接元器件來代替其內(nèi)部已經(jīng)要損壞的電路，應(yīng)選用小型元器件，以免造成不必要的寄生禍合。

（五）、測(cè)試時(shí)按照規(guī)范進(jìn)行

在測(cè)試的時(shí)候不要因?yàn)闇y(cè)試人員的不慎造成引腳間短路，電壓測(cè)量或用示波器探頭測(cè)試波形時(shí)，表筆或探頭不要由于滑動(dòng)而造成集成電路引腳間短路，可以選用各個(gè)端子短接的外接板對(duì)等價(jià)引腳進(jìn)行測(cè)量。因?yàn)樗查g大電流對(duì)器件的沖擊會(huì)導(dǎo)致集成電路的損害。

（六）、在線直流電壓測(cè)量法

這種方法是判斷集成電路好壞的常用方法。它是用萬用表的直流電壓檔，測(cè)出各引腳對(duì)地的直流電壓值，然后與標(biāo)注的參考電壓進(jìn)行比較，并結(jié)合其內(nèi)部和電路進(jìn)行比較，據(jù)此來判斷集成電路的好壞。采用這種方法，必須事先了解正常時(shí)的各腳直流電壓(在強(qiáng)信號(hào)和弱信號(hào)兩種狀態(tài)下的直流電壓)。實(shí)際檢查時(shí)，因?yàn)楦髂_電壓的變化較小，因而有時(shí)會(huì)錯(cuò)過不正常的部位；或有幾個(gè)管腳的電壓同時(shí)改變，使得判斷困難。為此最好能事先了解該集成塊的內(nèi)部電路圖，至少要有內(nèi)部方框圖，了解各腳的電壓是由外部供給的還是內(nèi)部送出的。這樣，會(huì)給判斷帶來很大的方便，比較容易判斷出故障的原因是由集成塊內(nèi)部還是其元器件引起的。

二、集成電路的性能檢測(cè)

為了保證數(shù)字系統(tǒng)長期穩(wěn)定可靠地工作，精心檢測(cè)所采用的數(shù)字集成電路器件是必不可少的步驟。這種檢測(cè)包括對(duì)邏輯功能的檢測(cè)和必要時(shí)對(duì)某些參數(shù)的檢測(cè)。不僅在使用元器件前必須確切知道它的邏輯功能是否正常，而且在測(cè)試電路的過程中如果發(fā)現(xiàn)某些問題或故障時(shí)，還需要檢測(cè)其邏輯功能。數(shù)字集成電路器件邏輯功能的檢測(cè)分靜態(tài)測(cè)量和動(dòng)態(tài)測(cè)量?jī)蓚€(gè)步驟，應(yīng)當(dāng)遵循的原則是。 先靜態(tài)，后動(dòng)態(tài)。。

（一）、靜態(tài)測(cè)試

靜態(tài)測(cè)試的方法是：在規(guī)定的電源電壓范圍內(nèi)，在輸出端不接任何負(fù)載的情況下，將各輸入端分別接入一定的電平。測(cè)量輸入、輸出端的高低電平是否符合規(guī)定值，并按真值表判斷邏輯關(guān)系是否正確。靜態(tài)測(cè)試可以用數(shù)字邏輯實(shí)驗(yàn)箱、邏輯電平筆、萬用表等完成。

（二）、動(dòng)態(tài)測(cè)試

動(dòng)態(tài)測(cè)試的方法是：在輸入端加入合適的脈沖信號(hào)，根據(jù)輸入、輸出波形分析邏輯關(guān)系是否正確。通常用示波器進(jìn)行動(dòng)態(tài)測(cè)試，觀察其輸入、輸出波形與標(biāo)準(zhǔn)波形是否相同。

三、電路故障分析方法

電路故障分析對(duì)檢查故障具有決定性指導(dǎo)作用，沒有正確的電路故障分析過程和結(jié)果，就不會(huì)獲得檢修的成功，這里說明電路故障分析在檢查過程中運(yùn)用步驟和方法：

有了相對(duì)具體的電路部分后，通過電路圖在這些電路中找出測(cè)試點(diǎn)，決定是檢測(cè)電壓還是檢測(cè)電流或其它參數(shù)，根據(jù)所測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行故障分析，確定這一電路是否正常；檢查故障分析過程中，首先遇到具體故障現(xiàn)象，根據(jù)故障現(xiàn)象先從整體上進(jìn)行電路故障分析，即通過具體的故障現(xiàn)象定位電路出現(xiàn)故障的地方；有了上述分析結(jié)果，再回到電路中對(duì)所懷疑元器件進(jìn)行針對(duì)性的檢測(cè)和確定，最終結(jié)合電路圖定性出現(xiàn)的問題；對(duì)于不正常的電路進(jìn)行深層次分析，具體到元器件是否損壞、性能是否惡劣、有否開路或電路故障。

四、具體集成電路檢測(cè)和故障分析

集成電路O CL 功放電路圖如下圖所示。檢查分析如下：

檢查這種電路時(shí)，將揚(yáng)聲器先與電路斷開，以防檢查過程中的操作不當(dāng)損壞揚(yáng)聲器。注意：當(dāng)測(cè)量輸出引腳直流電壓不為0V 時(shí)，還應(yīng)該檢查揚(yáng)聲器是否已經(jīng)損壞。首先檢查集成電路的輸出引腳直流電壓，正常時(shí)為0V ；若不為0V 再測(cè)量正、負(fù)電源引腳上的直流電壓是否相等，不等時(shí)間差電源電路或電源引腳上的濾波電容；測(cè)量?jī)蓚€(gè)電源引腳上直流電壓正常之后，測(cè)量集成電路的其他引腳的直流電壓。如果測(cè)量輸出引腳直流電壓為0V ，還要測(cè)量正、負(fù)電源引腳上的直流電壓是否有活是否正常。

五、集成電路使用的注意事項(xiàng)

集成電路使用時(shí)，電源電壓要符合要求。TTL電路為+5V，CMOS電路為3～18V，電壓要穩(wěn)，濾波要好。集成電路使用時(shí)，要考慮系統(tǒng)的工作速度，工作速度較高時(shí)，宜用TTL電路(工作頻率>1MHz)；工作速度較低時(shí)，應(yīng)用CMOS電路。集成電路使用時(shí)，不允許超過其規(guī)定的極限參數(shù)。集成電路插裝時(shí)，要注意管腳序號(hào)，不能插錯(cuò)。CMOS集成電路多余的輸入端絕對(duì)不能懸空，要根據(jù)邏輯關(guān)系進(jìn)行處理。輸出端不允許與電源或地短路，輸出端不允許并聯(lián)使用。集成電路焊接時(shí)，不得使用大于45W的電烙鐵，連續(xù)焊接的時(shí)間不能超過10秒。

結(jié)束語

綜上所述，我們即可準(zhǔn)確地檢測(cè)出集成電路的有關(guān)性能指標(biāo)，正確地使用集成電路，使電路系統(tǒng)正常運(yùn)行。

參考文獻(xiàn)

[1] 高澤涵.電子電路故障診斷技術(shù)[M].西安:西安電子科技大學(xué)出版社,2000,11.

集成電路反向分析范文第2篇

關(guān)鍵詞：數(shù)字集成電路；設(shè)計(jì)；核心工藝

隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字集成電路獲得了越來越廣泛的應(yīng)用。深入了解數(shù)字集成電路特性，正確分析數(shù)字集成電路在實(shí)驗(yàn)中出現(xiàn)的種種異?，F(xiàn)象，對(duì)于提高數(shù)字電子技術(shù)使用效果、加深使用者對(duì)數(shù)字電路理論的理解有著十分重要的作用。而實(shí)現(xiàn)上述目的的最關(guān)鍵部分在于對(duì)數(shù)字集成電路的設(shè)計(jì)相關(guān)內(nèi)容有著較為清晰的理解，本文正是在這種背景下，探討了數(shù)字集成電路的不同設(shè)計(jì)方法以及所采用的核心工藝，以求為理論界與實(shí)踐界更好的認(rèn)識(shí)數(shù)字集成電路提供必要的借鑒與參考。

一、數(shù)字集成電路理論概述

數(shù)的表達(dá)是多種多樣的，如二進(jìn)位、八進(jìn)制、十進(jìn)位、十六進(jìn)位等。電腦中數(shù)字處理是二進(jìn)位，所以一切資料都要先轉(zhuǎn)化為“0”和“1”的組合。在教學(xué)中要對(duì)學(xué)生強(qiáng)調(diào)這里的“0”和“1”不是傳統(tǒng)數(shù)學(xué)中的數(shù)字，而是兩種對(duì)立的狀態(tài)的表達(dá)。數(shù)字集成電路是傳輸“0”和“1”（開和關(guān)）兩種狀態(tài)的門電路，可把來自一個(gè)輸入端的信息分配給幾個(gè)輸出端，或把幾個(gè)輸入端傳來的信息加以處理再傳送出去，這個(gè)過程叫做邏輯運(yùn)算處理，所以又叫邏輯集成電路。在數(shù)字集成電路中電晶體大多是工作在特性曲線的飽和狀態(tài)和截止?fàn)顟B(tài)（邏輯的“0”和“1”）。數(shù)字集成電路又包括著如下三種電路：門電路，是作為不包含時(shí)間順序的組合電路；觸發(fā)器電路，其能存儲(chǔ)任意的時(shí)間和信息，故在構(gòu)成包含時(shí)間關(guān)系的順序電路時(shí)必不可少，這種電路叫做時(shí)序邏輯電路，例如寄存器、管理器等。觸發(fā)器電路是基本時(shí)序單元電路；半導(dǎo)體記憶體電路，它可以存取二進(jìn)位數(shù)字字信息，記憶體的作用是用來記住電子電腦運(yùn)算過程中所需要的一切原始資料、運(yùn)算的指令程式以及中間的結(jié)果，根據(jù)機(jī)器運(yùn)算的需要還能快速地提供出所需的資料和資料。在上課時(shí)，發(fā)現(xiàn)學(xué)生易將組合邏輯電路、時(shí)序邏輯電路混淆，所以教學(xué)中要反復(fù)強(qiáng)調(diào)兩者的的特點(diǎn)，進(jìn)行對(duì)比，使學(xué)生能正確區(qū)分兩種電路。

二、數(shù)字集成電路的設(shè)計(jì)

第一，MOS場(chǎng)效應(yīng)電晶體的設(shè)計(jì)。常用的是N溝MOS管，它是由兩個(gè)相距很近、濃度很高的N十P結(jié)引線后做成的，分別叫做源極“S”和漏極“D”。在源極“S”和漏極“D”之間的矽片表面生長一薄層二氧化矽（SiO2），在SiO2上復(fù)蓋生長一層金屬鋁叫柵極“G”（實(shí)際上“G”極是個(gè)MOS二極體）。NMOS集成電路是用得很多的一個(gè)品種。要注意一點(diǎn)是多晶矽柵代替了鋁柵，可以達(dá)到自對(duì)淮（近乎垂直）摻雜，在柵下面的源、漏摻雜區(qū)具有極小橫向的摻雜效應(yīng)，使源、柵漏交迭電容最小，可以提高電路的速度。

第二，CMOS集成電路互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)電晶體的設(shè)計(jì)。CMO是指在同一矽片上使用了P溝道和N溝道兩種MOS電路。這種反相器有其獨(dú)特之處，不論在哪種邏輯狀態(tài)，在VDD和地之間串聯(lián)的兩個(gè)管子中，總有一個(gè)處干非導(dǎo)通狀態(tài)，所以穩(wěn)態(tài)時(shí)的漏電流很小。只在開關(guān)過程中兩個(gè)管子都處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，才有顯著的電流流過這個(gè)反相器電路。因此，平均功耗很小，在毫微瓦數(shù)量級(jí)，這種電路叫做CMOS電路。含有CMOS電路的集成電路就叫做CMOS集成電路，它是VLSI設(shè)計(jì)中廣泛使用的基本單元。它占地面積很小、功耗又小，正是符合大規(guī)模集成電路的要求，因?yàn)楫?dāng)晶片的元件數(shù)增加時(shí)功耗成為主要的限制因素。CMOS集成電路成為低功耗、大規(guī)模中的一顆明星，它是VLSI設(shè)計(jì)中廣泛使用的基本單元，但它的設(shè)計(jì)和工藝難度也相應(yīng)地提高了許多。CMOS集成電路在P型襯底上先形式一個(gè)以待形成PMOS管用的N型區(qū)域叫做“N井”，在“N井”內(nèi)制造PMOSFET的過程與前述的NMOS管相同，所以制造CMOS集成電路的工序基本上是制造NMOS集成電路的兩倍。另外還要解決麻煩的門鎖效應(yīng)（Latch-up）。但它仍是高位數(shù)、高集成度、低功耗微處理器等晶片的首選方案。

第三，二極體的設(shè)計(jì)。集成電路中的二極體均由三極管的eb結(jié)或cb結(jié)構(gòu)成，前者的正向壓降低，幾乎沒有寄生效應(yīng)，開關(guān)時(shí)間短；后者常在需要高擊穿電壓的場(chǎng)合中使用，技術(shù)上又不必單獨(dú)制做，只是在晶體管制成后布線時(shí)按電路功能要求短路某二個(gè)電極，從留用的P-N二邊引線出去和電路連接。課堂教學(xué)中，對(duì)二、三極管的特性及工作原理要做詳細(xì)的復(fù)習(xí)，以便學(xué)生理解。

第四，電阻設(shè)計(jì)。集成電路中的電阻是在制造電晶體基區(qū)層的同時(shí)，向外延層中進(jìn)行擴(kuò)散制成。阻值取決于雜質(zhì)濃度、基區(qū)的寬度和長度及擴(kuò)散深度。當(dāng)需要更大電容阻值時(shí)，采用溝道電阻；在需要更小電容阻值時(shí)，則采用發(fā)射區(qū)擴(kuò)散時(shí)形成的N十區(qū)電阻。

這里電阻與學(xué)生之前學(xué)習(xí)的電阻進(jìn)行比較，利于學(xué)生理解。

第五，電容設(shè)計(jì)。集成電路中的電容器有兩種，一種是P-N結(jié)電容，它是利用三極管eb結(jié)在反向偏壓下的結(jié)電容，電容量不是常數(shù)，它的大小與所加偏壓有關(guān)，且有極性；另一種是MOS電容，電容值是固定，與偏壓無關(guān)。一般用重?fù)降膮^(qū)域作為一個(gè)板極，中間的氧化物層作為介質(zhì)層，氧化物層的頂層金屬作為另一個(gè)板極。但是，集成電路設(shè)計(jì)中應(yīng)盡量避免使用電容，數(shù)字電路一般都采用沒有電容的電路。

三、數(shù)字集成電路的核心工藝

首先是薄圓晶片的制備技術(shù)。分別在半導(dǎo)體專用切片機(jī)、磨片機(jī)、拋光機(jī)上加工出厚度約為400um、表面光亮如鏡、沒有傷痕、沒有缺陷的晶片。

其次是外延工藝技術(shù)。為了提高電晶體集電結(jié)的擊穿電壓，要求高電阻率材料。但為了提高電晶體工作速度，要求低電阻率材料，為此在低阻的襯底材料上外延生長一層高阻的單晶層，這叫做外延技術(shù)。

第三是隔離工藝技術(shù)。因?yàn)閿?shù)字集成電路中各組件是做在同一半導(dǎo)體襯底片，各組件所處的電位也不同，要使做有源元件的小區(qū)域（電晶體）彼此相隔離開，這種實(shí)現(xiàn)彼此隔離的技術(shù)叫做隔離技術(shù)。正是由于它的出現(xiàn)，使分立元件發(fā)展到數(shù)字集成電路成為可能?，F(xiàn)在常用的有介質(zhì)隔離（將SiO2生長在需要隔離的部位）和P-N 結(jié)隔離兩種方法。P-N結(jié)隔離是在隔離部位形成兩個(gè)背對(duì)背的P-N結(jié)；外延結(jié)構(gòu)P-N結(jié)隔離是在P 型襯底表面的n型外延層上進(jìn)行氧化、光刻、擴(kuò)散等工藝，并將硼雜質(zhì)擴(kuò)散到特定部分，直到擴(kuò)穿外延層和P 型襯底相接。外加反向電壓使外延n型層成為一個(gè)個(gè)相互隔離的小島，然后再在這個(gè)n型外延小島區(qū)域上分別制造電晶體或其他元件。

最后是氧化工藝技術(shù)。半導(dǎo)體器件性能與半導(dǎo)體表面有很大關(guān)系，所以必須對(duì)器件表面采用有效保護(hù)措施。二氧化矽被選作為保護(hù)鈍化層，一來它易于選擇腐蝕掉；二來可以在擴(kuò)散之后在同爐內(nèi)馬上通氧進(jìn)行氧化；三來可以作為選擇摻雜的掩蔽物；再來它常被用來作導(dǎo)電層之間的絕緣層。當(dāng)然用作鈍化的介質(zhì)還有氮化矽薄膜，這里不多介紹。各種薄膜不僅要執(zhí)行其本身的預(yù)定功能，也要和后續(xù)的全部工藝相相容。即鈍化薄膜要能承受所要求的化學(xué)處理及加熱處理，而其結(jié)構(gòu)還保持穩(wěn)定。從上面工藝流程可以看到，每一步光刻之前都有氧化工序，圖形加工只能在氧化層上進(jìn)行。

設(shè)計(jì)是一項(xiàng)難度較大的工作，在設(shè)計(jì)中要考慮許多細(xì)節(jié)的東西，實(shí)踐與理論之間有一定的差距，對(duì)于我們技術(shù)學(xué)校的學(xué)生而言，可以讓他們做一些簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，自己動(dòng)手搭建電路并做測(cè)試，在做中發(fā)現(xiàn)問題，解決問題，從而加深對(duì)知識(shí)的理解。

（作者單位：福建省第二高級(jí)技工學(xué)校）

參考文獻(xiàn)：

[1]桑紅石，張志，袁雅婧，陳鵬.數(shù)字集成電路物理設(shè)計(jì)階段的低功耗技術(shù)[J].微電子學(xué)與計(jì)算機(jī)，2011年第4期.

集成電路反向分析范文第3篇

本文分析了智能功率集成電路的發(fā)展歷程、應(yīng)用狀況和研究現(xiàn)狀，希望能拋磚引玉，對(duì)相關(guān)領(lǐng)域的研究有所貢獻(xiàn)。

【關(guān)鍵詞】智能功率集成電路 無刷直流電機(jī) 前置驅(qū)動(dòng)電路 高壓驅(qū)動(dòng)芯片

1 智能功率集成電路發(fā)展歷程

功率集成電路（Power Integrated Circuit，PIC）最早出現(xiàn)在七十年代后期，是指將通訊接口電路、信號(hào)處理電路、控制電路和功率器件等集成在同一芯片中的特殊集成電路。進(jìn)入九十年代后，PIC的設(shè)計(jì)與工藝水平不斷提高，性能價(jià)格比不斷改進(jìn)，PIC才逐步進(jìn)入了實(shí)用階段。按早期的工藝發(fā)展，一般將功率集成電路分為高壓集成電路（High Voltage Integrated Circuit，HVIC）和智能功率集成電路（Smart Power Integrated Circuit，SPIC）兩類，但隨著PIC的不斷發(fā)展，兩者在工作電壓和器件結(jié)構(gòu)上（垂直或橫向）都難以嚴(yán)格區(qū)分，已習(xí)慣于將它們統(tǒng)稱為智能功率集成電路（SPIC）。

2 智能功率集成電路的關(guān)鍵技術(shù)

2.1 離性價(jià)比兼容的CMOS工藝

BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝是目前最主要的SPIC制造工藝。它將Bipolar，CMOS和DMOS器件集成在同一個(gè)芯片上，整合了Bipolar器件高跨導(dǎo)、強(qiáng)負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力，CMOS器件集成度高、低功耗的優(yōu)點(diǎn)以及DMOS器件高電壓、大電流處理能力的優(yōu)勢(shì)，使SPIC芯片具有很好的綜合性能。BCD工藝技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是其發(fā)展不像標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，遵循摩爾定律，追求更小線寬、更快速度。該優(yōu)點(diǎn)決定了SPIC的發(fā)展不受物理極限的限制，使其具有很強(qiáng)的生命力和很長的發(fā)展周期。歸納起來，BCD工藝主要的發(fā)展方向有三個(gè)，即高壓BCD工藝、高功率BCD工藝和高密度BCD工藝。

2.2 大電流集成功率器件

隨著工藝和設(shè)計(jì)水平的不斷提高，越來越多的新型功率器件成為新的研究熱點(diǎn)。首當(dāng)其沖的就是超結(jié)（SJ，Superjunction）MOS器件。其核心思想就是在器件的漂移區(qū)中引入交替的P/N結(jié)構(gòu)。當(dāng)器件漏極施加反向擊穿電壓時(shí)，只要P-型區(qū)與N-型區(qū)的摻雜濃度和尺寸選擇合理，P-型區(qū)與N-型區(qū)的電荷就會(huì)相互補(bǔ)償，并且兩者完全耗盡。由于漂移區(qū)被耗盡，漂移區(qū)的場(chǎng)強(qiáng)幾乎恒定，而非有斜率的場(chǎng)強(qiáng)，所以超結(jié)MOS器件的耐壓大大提高。此時(shí)漂移區(qū)摻雜濃度不受擊穿電壓的限制，它的大幅度提高可以大大降低器件的導(dǎo)通電阻。由于導(dǎo)通電阻的降低，可以在相同的導(dǎo)通電阻下使芯片的面積大大減小，從而減小輸入柵電容，提高器件的開關(guān)速度。因此，超結(jié)MOS器件的出現(xiàn)，打破了“硅極限”的限制。然而，由于其制造工藝復(fù)雜，且與BCD工藝不兼容，超結(jié)MOS器件目前只在分一立器件上實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品化，并未在智能功率集成電路中廣泛使用。

其他新材料器件如砷化嫁（GaAs），碳化硅（SiC）具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、飽和速度快等優(yōu)點(diǎn)，但與目前廠泛產(chǎn)業(yè)化的硅基集成電路工藝不兼容，其也未被廣泛應(yīng)用于智能功率集成電路。

2.3 芯片的可靠性

智能功率集成電路通常工作在高溫、高壓、大電流等苛刻的工作環(huán)境下，使得電路與器件的可靠性問題顯得尤為突出。智能功率集成電路主要突出的可靠性問題包括閂鎖失效問題，功率器件的熱載流子效應(yīng)以及電路的ESD防護(hù)問題等。

3 智能功率集成電路的用

從20年前第一次被運(yùn)用于音頻放大器的電壓調(diào)制器至今，智能功率集成電路已經(jīng)被廣泛運(yùn)用到包括電子照明、電機(jī)驅(qū).動(dòng)、電源管理、工業(yè)控制以及顯示驅(qū)動(dòng)等等廣泛的領(lǐng)域中。以智能功率集成電路為標(biāo)志的第二次電子革命，促使傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)與信息、產(chǎn)業(yè)融通，已經(jīng)對(duì)人類生產(chǎn)和生活產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。

作為智能功率集成電路的一個(gè)重要分支，電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片始終是一項(xiàng)值得研究的課題。電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片是許多產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)之一，全球消費(fèi)類驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)需要各種各樣的電動(dòng)機(jī)及控制它們的功率電路與器件。電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率小至數(shù)瓦，大至百萬瓦，涵蓋咨詢、醫(yī)療、家電、軍事、工業(yè)等眾多場(chǎng)合，世界各國耗用在電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片方面的電量比例占總發(fā)電量的60%-70%。因此，如何降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的功耗，提升驅(qū)動(dòng)芯片的性能以最大限度的發(fā)揮電機(jī)的能力，是電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片未來的發(fā)展趨勢(shì)。

4 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀

國內(nèi)各大IC設(shè)計(jì)公司和高校在電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片的研究和開發(fā)上處于落后地位。杭州士蘭微電子早期推出了單相全波風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)電路SD1561，帶有霍爾傳感器的無刷直流風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)電路SA276。其他國內(nèi)設(shè)計(jì)公司如上海格科微電子，杭州矽力杰、蘇州博創(chuàng)等均致力于LCD，LED，PDP等驅(qū)動(dòng)芯片的研發(fā)，少有公司在電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片上獲得成功。國內(nèi)高校中，浙江大學(xué)、東南大學(xué)、電子科技大學(xué)以及西安電子科技大學(xué)都對(duì)高壓橋式驅(qū)動(dòng)電路、小功率馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路展開過研究，但芯片性能相比于國外IC公司仍有很大差距。

而在功率器件的可靠性研究方面，世界上各大半導(dǎo)體公司和高校研究人員已經(jīng)對(duì)NLDMOS的熱載流子效應(yīng)進(jìn)行了廣泛的研究。對(duì)應(yīng)不同的工作狀態(tài)，有不同的退化機(jī)制。直流工作狀態(tài)下，中等柵壓應(yīng)力條件下，退化主要發(fā)生在器件表面的溝道積累區(qū)和靠近源極的鳥嘴區(qū)；高柵壓應(yīng)力條件下，由于Kirk效應(yīng)的存在，退化主要發(fā)生在靠近漏極的側(cè)墻區(qū)以及鳥嘴區(qū)。當(dāng)工作在未鉗位電感性開關(guān)（UIS} Unclamped Inductive Switching）狀態(tài)的時(shí)候，會(huì)反復(fù)發(fā)生雪崩擊穿。研究表明，NLDMOS的雪崩擊穿退化主要是漏極附近的界面態(tài)增加引起的，且退化的程度與流過漏極的電荷量密切相關(guān)。雪崩擊穿時(shí)流過器件的電流越大，引起的退化也越嚴(yán)重。

參考文獻(xiàn)

[1]洪慧，韓雁，文進(jìn)才，陳科明.功率集成電路技術(shù)理論與設(shè)計(jì)[M].杭州：浙江大學(xué)出版社，2011.

[2]易揚(yáng)波.功率MOS集成電路的可靠性研究和應(yīng)用[D].南京：東南大學(xué)，2009.

[3]馬飛.先進(jìn)工藝下集成電路的靜電放電防護(hù)設(shè)計(jì)及其可靠性研究[D].杭州：浙江大學(xué)，2014.

[4]鄭劍鋒.基于高壓工藝和特定模式下的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)與研究[D].杭州：浙江大學(xué)，2012.

集成電路反向分析范文第4篇

【關(guān)鍵詞】直流；穩(wěn)壓電路；原理分析

穩(wěn)壓電路是指在輸入電壓、負(fù)載、環(huán)境溫度、電路參數(shù)等發(fā)生變化時(shí)仍能保持輸出電壓恒定的電路。這種電路能提供穩(wěn)定的直流電源，對(duì)各種電子設(shè)備能夠穩(wěn)定工作起到了重要的作用。常見直流穩(wěn)壓電路主要有四種，分別為：穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路、串聯(lián)晶體管穩(wěn)壓電路、并聯(lián)晶體管穩(wěn)壓電路和開關(guān)型穩(wěn)壓電路。

一、穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路

穩(wěn)壓二極管，又叫齊納二極管，是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)盡管流過二極管的電流變化很大，而其兩端的電壓卻變化極小，并且這種現(xiàn)象的重復(fù)性很好，從而起到穩(wěn)壓作用。因?yàn)檫@種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。

圖1為穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路，由限流電阻RS和穩(wěn)壓二極管DZ組成。

Us為未穩(wěn)壓的輸入直流電壓， UO為經(jīng)過穩(wěn)壓的直流電壓， RS為DZ的限流保護(hù)電阻， 又起電壓調(diào)整作用， DZ為穩(wěn)壓二極管， RL為負(fù)載電阻。其工作原理是： 此電路主要利用穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓特性， 即DZ反向?qū)ê笃鋬啥说膲航祷颈３植蛔儭．?dāng)US增大引起RS上的電流增大， 但UO 即DZ兩端的電壓保持恒定不變， 這樣US的增大量全部降在RS上， 以保持UO不變， 反之亦然。在實(shí)際應(yīng)用中RS的特性和DZ的特性對(duì)整個(gè)穩(wěn)壓過程起關(guān)鍵作用。

這種穩(wěn)壓電路的工作范圍受穩(wěn)壓管最大功耗的限制，Iz不能超過一定數(shù)值。其關(guān)鍵是：在US、RL及UO均為給定的條件下，Rs值的選取應(yīng)保證在輸入電壓為最大值USmax時(shí)，穩(wěn)定電流Iz和穩(wěn)壓管允許的功耗不超過規(guī)定的最大值；在輸入電壓為最小值時(shí)，又能保證Iz不低于最小的穩(wěn)定電流。

二、并聯(lián)晶體管穩(wěn)壓電路

晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)。

圖2為并聯(lián)晶體管穩(wěn)壓電路。其中T是調(diào)整管、DZ是基準(zhǔn)穩(wěn)壓管，Rs是Dz的限流電阻，RO是負(fù)載。這個(gè)穩(wěn)壓電路的輸出電壓約等于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值（實(shí)際上要加上T發(fā)射結(jié)電壓，一般鍺管取0.3V，硅管取0.7V）。這是由于電源在工作時(shí)，T發(fā)射結(jié)導(dǎo)通，發(fā)射極電壓與基極電壓連結(jié)一致，而基極電壓被DZ穩(wěn)定在一個(gè)固定值。這個(gè)電路可以看作T將DZ的穩(wěn)壓作用放大了β倍，相當(dāng)于接入一個(gè)穩(wěn)壓值為DZ穩(wěn)壓值，穩(wěn)壓效果為β倍DZ穩(wěn)壓效果的穩(wěn)壓管。

并聯(lián)穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓性能有所提高，線路也不復(fù)雜，其優(yōu)點(diǎn)是：有過載自保護(hù)性能，輸出斷路時(shí)調(diào)整管不會(huì)損壞；在負(fù)載變化小時(shí)，穩(wěn)壓性能比較好；對(duì)瞬時(shí)變化的適應(yīng)性較好。 但并聯(lián)穩(wěn)壓電路也有比較大的缺點(diǎn)：效率較低，特別是輕負(fù)載時(shí)，電能幾乎全部消耗在限流電阻和調(diào)整管上；輸出電壓調(diào)節(jié)范疇很??；穩(wěn)定度不易做得很高。這些固有的缺點(diǎn)很難改進(jìn)，所以現(xiàn)在普遍利用的都是串聯(lián)穩(wěn)壓電路。

三、串聯(lián)晶體管穩(wěn)壓電路

圖3為簡(jiǎn)單的串聯(lián)晶體管穩(wěn)壓電路。調(diào)整管T與負(fù)載電阻RO相串聯(lián)，當(dāng)由于供電或用電發(fā)生變化引起電路輸出電壓波動(dòng)時(shí)，它都能及時(shí)地加以調(diào)節(jié)，使輸出電壓保持基本穩(wěn)定，因此它被稱做調(diào)整管。穩(wěn)壓管DZ為調(diào)整管提供基準(zhǔn)電壓，使調(diào)整管基極電位不變。RS 是DZ的保護(hù)電阻，限制通過DZ的電流，起保護(hù)穩(wěn)壓管的作用。

電路穩(wěn)壓過程是這佯的：如果輸人電壓US增大，使輸出電壓UO增大時(shí)，由于Ub=Uw固定不變，調(diào)整管基射集間電壓Ube =Ub-US將減小，基極電流Ib隨之減小，而管壓降Uce 隨之增大，從而抵消了US 增大的部分，使UO基本穩(wěn)定。如果負(fù)載電流IO增大，使輸出電壓UO減小時(shí)，由于Ub固定，Ube 將增大，Uce 減小，也同樣地使UO基本穩(wěn)定。

從上面分析中可以看到，調(diào)整管既象是一個(gè)自動(dòng)的可變電阻：當(dāng)輸出電壓增大時(shí)，它的“阻值”就增大，分擔(dān)了大出來的電壓；當(dāng)輸出電壓減小時(shí)，它的“阻值”就減小，補(bǔ)足了小下去的電壓。無論是哪種情況，都使電路保持輸出一個(gè)穩(wěn)定的電壓。這種穩(wěn)壓電路也能輸出較大的電流，而且輸出電阻低，穩(wěn)壓性能好；電路也易于制作，但其也有輸出電壓不可調(diào)等缺點(diǎn)。

四、開關(guān)型穩(wěn)壓電路

基于上述線性穩(wěn)壓電路的線性穩(wěn)壓電源雖然電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作可靠，但它存在著效率低（只有30%-50%）、體積大、銅鐵消耗量大，工作溫度高及調(diào)整范圍小等缺點(diǎn)。為解決線性型穩(wěn)壓電源功耗較大的缺點(diǎn)，研制了開關(guān)型穩(wěn)壓電源。開關(guān)穩(wěn)壓器的轉(zhuǎn)換率可達(dá)60%～85%以上，而且可以省去工頻變壓器和巨大的散熱器，體積和重量都大為減小，具有體積小，效率高的優(yōu)點(diǎn)。這種開關(guān)型電路已在各種電子設(shè)備中獲得廣泛的應(yīng)用。

開關(guān)式穩(wěn)壓電源接控制方式分為調(diào)寬式和調(diào)頻式兩種，在實(shí)際的應(yīng)用中，調(diào)寬式使用得較多，在目前開發(fā)和使用的開關(guān)電源集成電路中，絕大多數(shù)也為脈寬調(diào)制型。

開關(guān)式穩(wěn)壓電源的基本電路框圖如圖4所示。 交流電壓經(jīng)整流電路及濾波電路整流濾波后，變成含有一定脈動(dòng)成份的直流電壓，該電壓進(jìn)人高頻變換器被轉(zhuǎn)換成所需電壓值的方波，最后再將這個(gè)方波電壓經(jīng)整流濾波變?yōu)樗枰闹绷麟妷骸？刂齐娐窞橐幻}沖寬度調(diào)制器，它主要由取樣器、比較器、振蕩器、脈寬調(diào)制及基準(zhǔn)電壓等電路構(gòu)成。這部分電路目前已集成化，制成了各種開關(guān)電源用集成電路。控制電路用來調(diào)整高頻開關(guān)元件的開關(guān)時(shí)間比例，以達(dá)到穩(wěn)定輸出電壓的目的。

常用的實(shí)現(xiàn)開關(guān)控制的方法；有自激式開關(guān)穩(wěn)壓器、脈寬調(diào)制式開關(guān)穩(wěn)壓器和直流變換式開關(guān)穩(wěn)壓器等。開關(guān)型穩(wěn)壓電路體積小，轉(zhuǎn)換效率高，但控制電路較復(fù)雜。隨著自關(guān)斷電力電子器件和電力集成電路的迅速發(fā)展，開關(guān)電源已得到越來越廣泛的應(yīng)用。

參考文獻(xiàn)：

[1]張立榮.一種改進(jìn)太陽能計(jì)算器芯片二極管穩(wěn)壓電路設(shè)計(jì)[J]，電子與封裝，2012（10）.

[2]李向東，劉偉. 串聯(lián)型穩(wěn)壓電路的設(shè)計(jì)，周口師范高等專科學(xué)校學(xué)報(bào)[J]，2001（09）.

集成電路反向分析范文第5篇

一、遙控器的組成

遙控器是一部獨(dú)立的機(jī)器，它主要由鍵盤矩陣、編碼集成電路和驅(qū)動(dòng)放大電路三大部分組成，其中編碼集成電路是一塊大規(guī)模集成電路，它是遙控器的核心部分，驅(qū)動(dòng)放大電路由分立元件構(gòu)成（圖1）。

遙控器的工作原理是：當(dāng)人們按下遙控器鍵盤矩陣上的按鍵時(shí)，編碼集成電路將產(chǎn)生遙控指令信號(hào)，然后經(jīng)驅(qū)動(dòng)放大電路進(jìn)行放大，激勵(lì)紅外發(fā)光二極管，使其產(chǎn)生紅外光信號(hào)向空間發(fā)射（圖2），從而達(dá)到操縱電視機(jī)的

目的。

二、遙控器的常見故障

遙控器的常見故障一般有遙控?zé)o效、遙控失靈、個(gè)別按鍵失效、遙控距離縮短等故障。具體原因是因元器件使用壽命長，使用條件不符合要求或元器件本身的質(zhì)量等問題，而造成的元器件老化、漏電、擊穿、短路、開路、參數(shù)變化、焊點(diǎn)虛焊等現(xiàn)象。

三、遙控器故障的檢修方法

遙控器故障的檢修方法與一般電子電器產(chǎn)品的維修方法一樣，首先要了解電路的工作原理，掌握信號(hào)的流程，然后采用直接觀察法或者借助儀器儀表測(cè)量其電阻、電流、電壓和波形，找到故障的部位，并根據(jù)電路的工作原理和維修資料提供的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析判斷，最終追蹤到故障的具置。

1.直接觀察法

直接觀察法是指不借助于任何儀器，僅憑檢修人員的感覺器官，對(duì)遙控器進(jìn)行故障檢查的一種檢修方法，如觀察導(dǎo)線是否有斷開，觀察元器件是否相碰、觀察元器件是否有燒焦，觀察元器件是否有松動(dòng)和虛焊，觀察線路板是否因銹蝕造成電路斷裂，觀察電池卡簧有無氧化、銹蝕等現(xiàn)象。直接觀察法是電子電器維修中常采用的基本方法

之一。

2.電流測(cè)量法

電流測(cè)量法是通過對(duì)遙控器的總電流進(jìn)行測(cè)量，來判斷是否存在故障。遙控器有兩種工作狀態(tài)：一種是靜態(tài)，另一種是動(dòng)態(tài)。靜態(tài)電流一般較小，大約為1μA～3μA，動(dòng)態(tài)電流稍大一些約為4mA～8mA。

3.電壓測(cè)量法

電壓測(cè)量法是通過對(duì)集成電路各引腳、驅(qū)動(dòng)放大三極管各極以及紅外發(fā)光二極管兩端的靜態(tài)電壓和動(dòng)態(tài)電壓進(jìn)行測(cè)量，測(cè)得的結(jié)果與維修資料提供的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較分析，判斷故障的大致部位。電壓測(cè)量法也是電子電器維修中常采用的基本方法之一。

4.電阻測(cè)量法

電阻測(cè)量法是在不通電的情況下，利用萬用表的電阻檔來測(cè)量元器件的質(zhì)量、線路的通斷，測(cè)量集成電路各引腳對(duì)地的正、反向電阻，以及驅(qū)動(dòng)放大三極管、紅外發(fā)光二極管、電阻、電容等電子元器件在路狀態(tài)下的對(duì)地電阻，并與正常值進(jìn)行比較分析，從而判斷故障的大致部位。

5.波形檢查法

波形檢查法是運(yùn)用示波器來檢查遙控器振蕩電路的波形和輸出端的脈沖波形，通過波形檢查法對(duì)信號(hào)進(jìn)行監(jiān)視，沿著電路對(duì)信號(hào)按跡尋蹤，可以很快查到故障部位。觀察波形是最直觀最有效的方法之一。

四、遙控器常見故障的分析

1.遙控失效

遙控失效是指電視機(jī)在正常工作的情況下，使用遙控器操作任何按鍵，均無遙控效果。

故障分析：遙控失效最常見的原因是電池電壓太低、電池彈簧生銹、電池和彈簧接觸不良、振蕩電路故障、驅(qū)動(dòng)放大電路故障。

檢修方法：首先用直接觀察法，沒有發(fā)現(xiàn)明顯的問題，然后用萬用表測(cè)量電源電壓值為3V（屬于正常值），測(cè)得靜態(tài)電流值為0.18mA，高于正常值；測(cè)得動(dòng)態(tài)電流值為0.185mA，動(dòng)態(tài)電流與靜態(tài)電流近似相等，說明電路沒有進(jìn)入正常的工作狀態(tài)。初步懷疑故障出在振蕩電路（見圖3），再用示波器觀察振蕩電路，發(fā)現(xiàn)沒有振蕩波形，接下來是圍繞振蕩電路進(jìn)行檢查。

用萬用表R×10k測(cè)量振蕩電路各元器件，拆下陶瓷諧振器，測(cè)得電阻無窮大，此值僅能證明其內(nèi)部不存在漏電現(xiàn)象，但不能證明它性能良好，換上一個(gè)新的陶瓷諧振器，遙控器發(fā)射正常。

2.遙控失靈

遙控失靈是指電視機(jī)在正常工作的情況下，在操作遙控器上的按鍵時(shí)，有時(shí)能正常工作，有時(shí)卻毫無效果，遙控作用不靈敏。

故障分析：遙控失靈多因電池接觸不良，電池彈簧銹蝕、元器件某個(gè)部位虛焊造成接觸不良、元器件漏電等現(xiàn)象造成。

檢修方法：首先用直接觀察法，觀察各元器件有無虛焊現(xiàn)象，電池彈簧是否有生銹，以及電池是否接觸良好，然后用萬用表測(cè)量電源電壓，其值為3V屬于正常值，測(cè)得靜態(tài)電流值為0.15mA 高于正常值，測(cè)得動(dòng)態(tài)電流其值4.3 mA也屬于正常值。再用示波器觀察振蕩電路，發(fā)現(xiàn)有振蕩信號(hào)但不穩(wěn)定。

估計(jì)故障仍在振蕩電路，用萬用表測(cè)量振蕩電路各元器件，發(fā)現(xiàn)電容器的絕緣電阻僅20kΩ,嚴(yán)重漏電,換上一個(gè)新的電容器,故障排除。

3.個(gè)別按鍵失效

個(gè)別按鍵失效是指某個(gè)按鍵或幾個(gè)按鍵操作無效，其他按鍵遙控功能正常。本例中是人們使用頻率較高的“節(jié)目+”“定時(shí)”兩個(gè)按鍵失效。

故障分析：個(gè)別按鍵失效說明供電電路、振蕩電路、放大電路均正常。遇到個(gè)別按鍵失效的現(xiàn)象一般先查看電路原理圖，分析失效的按鍵是否出自編碼集成電路的同一引腳，如果是，故障可能出在公共通道上的印制電路板的銅箔斷裂，或者集成電路引腳虛焊、集成電路內(nèi)部損壞，也可能是按鍵觸點(diǎn)不干凈或?qū)щ娤鹉z老化等原因造成。

檢修方法：經(jīng)查看電路圖，本例失效的兩個(gè)按鍵不是來自編碼集成電路的同一引腳。然后用直觀法觀察，發(fā)現(xiàn)失效的按鍵所對(duì)應(yīng)的鍵盤上粘有少量的碳粉，繼續(xù)觀察發(fā)現(xiàn)導(dǎo)電橡膠的觸點(diǎn)已經(jīng)磨損。可以判斷故障為觸點(diǎn)磨損和污物所致，選用清潔軟布蘸無水酒精清洗，再剪下一小塊錫箔紙用膠水粘在按鍵上，待干燥后按鍵恢復(fù)正常。

4.遙控距離縮短

遙控距離縮短是指遙控器按鍵功能正常，但遙控距離較以前縮短，要靠近電視機(jī)才能起到控制作用。

故障分析：由于該故障是遙控距離縮短，說明集成電路能夠發(fā)出正常指令，振蕩電路也能正常工作，遙控信號(hào)已通過三極管放大，并激勵(lì)紅外發(fā)光二極管發(fā)光，但輻射的強(qiáng)度可能不夠，紅外發(fā)光二極管老化、驅(qū)動(dòng)放大三極管性能衰退都能導(dǎo)致遙控器的控制距離縮短，此外，電源電壓下降也是導(dǎo)致遙控距離縮短的原因。

檢修方法：首先檢查遙控器的供電情況，測(cè)得電源電壓值為3V屬于正常，故障點(diǎn)可能在驅(qū)動(dòng)放大電路和紅外發(fā)射電路。先將三極管拆下，用萬用表“hFE”檔測(cè)其電流放大系數(shù)，僅為52，換上一只電流放大系數(shù)為150的新三極管，故障排除。

五、結(jié)束語